[發明專利]一種MOS開關吸收電路、系統及尖峰電壓吸收方法

在審

• 申請號: 202011129949.3
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN114389442A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 陳睿;趙振江;靳本豪;李誠;孫哲鋒;朱配清;王燁;李侃;趙學薈;胡立慶
• 申請（專利權）人: 航天科工慣性技術有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOS開關吸收電路，其特征在于，包括：硬開關MOS管、與該硬開關MOS管連通的電平輸入端、箝位電容、以及控制所述箝位電容與所述硬開關MOS管連通與否的吸收控制單元；

所述吸收控制單元包括箝位MOS管，所述箝位MOS管的漏極通過所述箝位電容與所述硬開關MOS管的漏極連接，所述箝位MOS管的柵極、源極間并聯有與所述電平輸入端連接的箝位二極管；

一充放電單元與所述箝位MOS管的柵極及所述電平輸入端連接。

2.根據權利要求1所述MOS開關吸收電路，其特征在于，所述充放電單元包括連接所述箝位二極管、電平輸入端的第一電阻；

所述第一電阻上并聯有與所述箝位MOS管的柵極連接的充放電電容。

3.根據權利要求2所述MOS開關吸收電路，其特征在于，所述箝位MOS管的漏極、源極間并聯有降損二極管；

所述降損二極管上還并聯有與所述箝位電容串聯的輔助電容。

4.根據權利要求1所述MOS開關吸收電路，其特征在于，所述硬開關MOS管的源極、柵極與所述電平輸入端連接。

5.根據權利要求1所述MOS開關吸收電路，其特征在于，所述硬開關MOS管為N溝道MOS管，所述箝位MOS管為P溝道MOS管。

6.一種適用于變壓器的MOS開關系統，其特征在于，包括：變壓器線圈、如權利要求1-5中任一所述的MOS開關吸收電路、與所述MOS開關吸收電路結構相同的對稱電路；

所述MOS開關吸收電路、變壓器線圈、對稱電路依次串聯。

7.根據權利要求6所述適用于變壓器的MOS開關系統，其特征在于，所述MOS開關吸收電路、對稱電路的電平輸入端分別接有互為反向的第一對稱二極管、第二對稱二極管。

8.根據權利要求6所述適用于變壓器的MOS開關系統，其特征在于，所述變壓器線圈上連接有一與所述MOS開關吸收電路串聯的第一電感，所述對稱電路的硬開關MOS管源極上串聯有第二電感；

所述第一電感、第二電感通過若干保護電容連接形成回路。

9.一種MOS開關尖峰電壓吸收方法，其特征在于，包括：

電平輸入端輸入高電平信號，驅動硬開關MOS管開通，箝位MOS管維持關斷，充放電單元充電；

電平輸入端輸入低電平信號，驅動所述硬開關MOS管關斷，同時充放電單元放電，驅動箝位MOS管開通，使得箝位電容等效并聯在硬開關MOS管的源極、漏極間，吸收硬開關MOS管關斷產生的反向尖峰電壓。

10.根據權利要求9所述MOS開關尖峰電壓吸收方法，其特征在于，還包括：

在驅動硬開關MOS管開通時，高電平信號經箝位二極管箝位后輸出正電壓信號并輸送至箝位MOS管的柵極被截止；

在驅動硬開關MOS管關斷時，充放電單元放電輸出負電壓信號，該負電壓信號輸送至箝位MOS管的柵極驅動箝位MOS管開通。