[發明專利]TiO2 在審
| 申請號： | 202011129745.X | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN112229879A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 何邕;鄺德琳;胡偉;郭學政;孫霞;伍志林;熊戀;周楊洋 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 成都方圓聿聯專利代理事務所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鵬 |
| 地址： | 400044 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tio base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感器，其特征在于，包括TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感元件，所述TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感元件包括具有氧化鋁陶瓷基底層(1)的叉指電極(2)和TiO2-Ti3C2Tx敏感材料層(3)，TiO2-Ti3C2Tx敏感材料涂覆在所述叉指電極(2)表面，所述的TiO2-Ti3C2Tx敏感材料層(3)通過在二維Ti3C2Tx納米材料上原位生長TiO2納米顆粒所制得的。
2.根據權利要求1所述的一種TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感器，其特征在于，所述TiO2-Ti3C2Tx敏感材料層(3)的厚度為1-5μm。
3.根據權利要求1所述的一種TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感器，其特征在于，所述的叉指電極(2)的叉指間隙寬度為200μm；所述叉指電極(2)的厚度為100-200nm，所述叉指電極(2)的插指對數為5對。
4.根據權利要求1到3任一項所述的TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一：采用一步水熱法制備TiO2-Ti3C2Tx復合材料；
步驟二：采用滴注法構建化學電阻型的TiO2-Ti3C2Tx復合薄膜氣體傳感器。
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