[發(fā)明專利]減緩鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)中管壁沉積氮化鎵的方法及鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011129343.X | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN112239889B | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 修向前;李悅文;張榮;謝自力;陳鵬;劉斌;鄭有炓;李紅梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院;南京大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B25/14 |
| 代理公司： | 江蘇斐多律師事務(wù)所 32332 | 代理人： | 張佳妮 |
| 地址： | 250002 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減緩 鹵化物 外延 生長 系統(tǒng) 管壁 沉積 氮化 方法 | ||
1.一種鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)的氣路系統(tǒng)，包括第一HCl導(dǎo)管，N2導(dǎo)管和NH3導(dǎo)管，所述第一HCl導(dǎo)管通到鎵舟處，其特征在于：還包括第二HCl導(dǎo)管，從鎵舟所在管道內(nèi)通到鎵舟所在管道的GaCl出口處的位置。
2.一種鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)，包括腔體管和氣路系統(tǒng)，其特征在于：其氣路系統(tǒng)為權(quán)利要求1所述的鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)的氣路系統(tǒng)。
3.一種減緩鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)中管壁沉積氮化鎵的方法，一路HCl通入鎵舟，與鎵舟反應(yīng)生成GaCl，其特征在于：從鎵舟所在管道內(nèi)再通入一路HCl到鎵舟所在管道的GaCl出口處的位置，與GaCl混合后，輸運至襯底處。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減緩鹵化物氣相外延生長系統(tǒng)中管壁沉積氮化鎵的方法，其特征在于：通入鎵舟所在管道GaCl出口處的HCl流量與通入鎵舟處的HCl流量比為1：1~4。
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