[發明專利]一種自適應功率放大器芯片及其自適應控制方法

有效

• 申請號: 202011129193.2
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112398455B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 邊仿
• 申請（專利權）人: 頭領科技（昆山）有限公司;邊仿;宋緋飛
• 主分類號: H03G3/30
• 分類號: H03G3/30
• 代理公司: 北京卓嵐智財知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11624
• 代理人: 田野

1.一種自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，包括：

步驟S110：檢測音頻輸入信號信息，識別所述音頻輸入信號的立體聲模式和聲道數量；

步驟S120：根據所述音頻輸入信號的立體聲模式和聲道數量選擇功率放大器芯片的工作模式；

步驟S130：根據所述功率放大器芯片的工作模式調節所述功率放大器芯片的電路拓撲結構，使得所述功率放大器芯片具有與所述音頻輸入信號的聲道數量相匹配的子通道；

步驟S140：根據所述音頻輸入信號的聲道數量和所述功率放大器芯片的工作模式為所述功率放大器芯片的各個子通道分配源輸入信號；

步驟S150：根據所述源輸入信號輸出模擬驅動信號。

2.根據權利要求1所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括溫度控制步驟，所述溫度控制步驟監測所述功率放大器芯片的各個子通道的工作溫度，使所述工作溫度不超過熱關斷安全閾值。

3.根據權利要求2所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，當子通道的工作溫度超過熱關斷安全閾值時，將該子通道的源輸入信號切換至空閑的子通道，并關斷該子通道的輸出級。

4.根據權利要求2所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括音量調節步驟，所述音量調節步驟根據心理聲學主觀效應以及所述工作溫度的升溫歷史設置子通道的輸出功率；當子通道的工作溫度超過熱關斷安全閾值的80％時，執行所述音量調節步驟，減少揚聲器音量降低對使用者收聽效果的影響，保證子通道的工作溫度不超過熱關斷閾值。

5.根據權利要求1所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括延時啟動步驟，所述延時啟動步驟在所述功率放大器芯片開始接收所述音頻輸入信號時，在一個延遲時間后接通各所述子通道輸出極與揚聲器之間的通路。

6.根據權利要求5所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，所述延遲時間為所述自適應功率放大器芯片的隔直電容被充電到偏置點所消耗的時間。

7.根據權利要求5所述的自適應功率放大器芯片的控制方法，其特征在于，所述延遲時間為所述功率放大器芯片執行步驟S110至步驟S140所消耗的時間。

8.一種自適應功率放大器芯片，所述功率放大器芯片由至少兩組全橋放大拓撲結構D類放大器組成，其特征在于，包括：

識別單元，用于檢測音頻輸入信號信息，識別所述音頻輸入信號的立體聲模式和聲道數量；

選擇單元，根據所述音頻輸入信號的立體聲模式和聲道數量選擇功率放大器芯片的工作模式；

調節單元，根據所述功率放大器芯片的工作模式調節所述功率放大器芯片的電路拓撲結構，使得所述功率放大器芯片具有與所述音頻輸入信號的聲道數量相匹配的子通道；

分配單元，根據所述音頻輸入信號的聲道數量和所述功率放大器芯片的工作模式為所述功率放大器芯片的各個子通道分配源輸入信號；

子通道電路拓撲結構，根據所述源輸入信號輸出模擬驅動信號。

9.根據權利要求8所述的自適應功率放大器芯片，其特征在于，當所述音頻輸入信號為雙聲道輸入信號時，所述子通道拓撲結構的數量為二，分別為兩組全橋放大拓撲結構D類放大器。

10.根據權利要求8所述的自適應功率放大器芯片，其特征在于，當所述音頻輸入信號為4.1聲道輸入信號時，所述子通道拓撲結構的數量為五，分別為四組半橋放大拓撲結構D類放大器和一組全橋放大拓撲結構D類放大器。

11.根據權利要求10所述的自適應功率放大器芯片，其特征在于，所述四組半橋放大拓撲結構D類放大器由兩組全橋放大拓撲結構D類放大器改組而成。