[發(fā)明專利]三維存儲器的漏電分析方法及三維存儲器

有效

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• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112331573B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范光龍;陳金星
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種三維存儲器的漏電分析方法，其特征在于，所述存儲器的堆疊結(jié)構(gòu)包括交替層疊設(shè)置的絕緣層和導(dǎo)電的K個柵極層，K為正整數(shù)，所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一端具有第一臺階區(qū)，所述堆疊結(jié)構(gòu)的第二端具有第二臺階區(qū)；

所述方法包括：

在所述第一臺階區(qū)，形成與所述K個柵極層一一對應(yīng)接觸的K個導(dǎo)電第一插塞；

在所述第二臺階區(qū)，形成與多個所述柵極層一一對應(yīng)接觸的多個導(dǎo)電的第二插塞；其中，與第二插塞接觸的相鄰的柵極層之間存在一個未與第二插塞接觸的柵極層；

向所述第一插塞注入導(dǎo)電的第一粒子，向所述第二插塞注入導(dǎo)電的第二粒子；其中，所述第一粒子的電性與所述第二粒子的電性相反；

對所述第一插塞進(jìn)行電性檢測，基于檢測結(jié)果，進(jìn)行漏電分析。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述第一插塞進(jìn)行電性檢測，基于檢測結(jié)果，進(jìn)行漏電分析，包括：

對所述第一插塞進(jìn)行電子束檢測，獲取所述檢測結(jié)果；基于所述檢測結(jié)果中所述第一插塞呈現(xiàn)的圖像，進(jìn)行漏電分析。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測結(jié)果中所述第一插塞呈現(xiàn)的圖像，進(jìn)行漏電分析，包括：

所述檢測結(jié)果中相鄰兩個第一插塞呈現(xiàn)的圖像相同時，對應(yīng)于所述相鄰兩個第一插塞中，與上層?xùn)艠O層接觸的一個第一插塞漏電；

所述檢測結(jié)果中相鄰兩個第一插塞呈現(xiàn)的圖像不同，且一個第一插塞呈現(xiàn)的圖像亮度小于或等于第一亮度閾值，另一個第一插塞呈現(xiàn)的圖像亮度大于或等于第二亮度閾值時，對應(yīng)于所述相鄰兩個第一插塞不漏電；

所述檢測結(jié)果中相鄰兩個第一插塞呈現(xiàn)的圖像不同時，呈現(xiàn)的圖像亮度小于或等于所述第一亮度閾值的一個第一插塞不漏電，呈現(xiàn)的圖像亮度大于所述第一亮度閾值且小于所述第二亮度閾值的另一個第一插塞漏電；

所述檢測結(jié)果中相鄰兩個第一插塞呈現(xiàn)的圖像不同時，呈現(xiàn)的圖像亮度大于或等于所述第二亮度閾值的一個第一插塞不漏電，呈現(xiàn)的圖像亮度大于所述第一亮度閾值且小于所述第二亮度閾值的另一個第一插塞漏電；

其中，所述第一亮度閾值小于所述第二亮度閾值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述柵極層包括第一類柵極層和第二類柵極層；其中，

所述第一類柵極層與一個不漏電的所述第一插塞接觸，且所述第一類柵極層不與所述第二插塞電連接；與所述第一類柵極層電連接的不漏電的所述第一插塞呈現(xiàn)的圖像亮度為所述第一亮度閾值；

所述第二類柵極層與另一個不漏電的所述第一插塞接觸，且所述第二類柵極層與所述第二插塞電連接；與所述第二類柵極層電連接的不漏電的所述第一插塞呈現(xiàn)的圖像亮度為所述第二亮度閾值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述第一插塞注入導(dǎo)電的第一粒子，向所述第二插塞注入導(dǎo)電的第二粒子，包括：

在所述第一插塞表面噴灑所述第一粒子，并在所述第一插塞上加載第一電壓；其中，所述第一電壓的電性與所述第一粒子的電性一致；

在所述第二插塞表面噴灑所述第二粒子，并在所述第二插塞上加載第二電壓；其中，所述第二電壓的電性與所述第二粒子的電性一致。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一粒子的電性為正電性；

所述第二粒子的電性為負(fù)電性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當(dāng)檢測到所述三維存儲器包括至少一個漏電的第一插塞時，采用透射電子顯微鏡對所述漏電的第一插塞進(jìn)行檢測，以確定所述三維存儲器的漏電位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述三維存儲器的虛擬存儲塊；

和/或，

所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述三維存儲器的存儲塊；其中，所述存儲塊用于執(zhí)行存儲功能。