[發明專利]一種LED芯片的制作方法

在審

• 申請號: 202011125565.4
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112242467A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 劉偉;劉英策;鄔新根;許藝軍
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 尹秀

1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底表面形成外延結構，所述外延結構包括層疊的N型半導體層、有源層和P型半導體層；

在所述外延結構背離所述襯底一側形成光刻膠掩膜層，所述光刻膠掩膜層具有至少一個通孔，所述通孔在所述襯底上的投影面積沿第一方向逐漸減小；

以所述光刻膠掩膜層為掩膜，依次在所述通孔內形成金屬反射層、覆蓋所述金屬反射層的金屬阻擋層以及覆蓋所述金屬阻擋層的金屬導電層，以形成所述LED芯片的電極結構；

其中，所述第一方向由所述襯底指向所述外延結構；所述金屬阻擋層形成時的工藝溫度大于所述金屬反射層形成時的工藝溫度。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻膠掩膜層為掩膜，依次在所述通孔內形成金屬反射層、覆蓋所述金屬反射層的金屬阻擋層包括：

以所述光刻膠掩膜層為掩膜，在所述外延結構位于所述通孔內的部分的表面蒸鍍金屬反射層；

以預設溫度對所述光刻膠掩膜層進行預熱，并在所述預設溫度下，在所述通孔內形成覆蓋所述金屬反射層的金屬阻擋層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述金屬阻擋層包括至少兩個層疊的金屬阻擋單元，沿所述第一方向，所述至少兩個層疊的金屬阻擋單元中各金屬阻擋單元的預設工藝參數逐漸增大；

其中，所述預設工藝參數包括形成速率和工藝溫度中的至少一個。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述至少兩個層疊的金屬阻擋單元中各金屬阻擋單元的工藝溫度逐漸增大。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，以預設溫度對所述光刻膠掩膜層進行預熱，并在所述預設溫度下，在所述通孔內形成覆蓋所述金屬反射層的金屬阻擋層包括：

以第一預設溫度對所述光刻膠掩膜層進行預熱，并在所述第一預設溫度下，在所述通孔內形成覆蓋所述金屬反射層的第一金屬阻擋單元；

以第二預設溫度對所述光刻膠掩膜層進行預熱，并在所述第二預設溫度下，在所述通孔內形成覆蓋所述第一金屬阻擋單元的第二金屬阻擋單元；

以第三預設溫度對所述光刻膠掩膜層進行預熱，并在所述第三預設溫度下，在所述通孔內形成覆蓋所述第二金屬阻擋單元的第三金屬阻擋單元；

其中，所述第一預設溫度小于所述第二預設溫度，所述第二預設溫度小于所述第三預設溫度。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述至少兩個層疊的金屬阻擋單元中相鄰的金屬阻擋單元的工藝溫度之間的差值的取值范圍為15℃～30℃，包括端點值。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻膠掩膜層為掩膜，在所述通孔內形成覆蓋所述金屬阻擋層的金屬導電層包括：

維持所述第三預設溫度，繼續以所述光刻膠掩膜層為掩膜，在所述通孔內形成覆蓋所述金屬阻擋層的金屬導電層。

8.根據權利要求1-7任一項所述的制作方法，其特征在于，在所述外延結構背離所述襯底一側形成光刻膠掩膜層，所述光刻膠掩膜層具有至少一個通孔，所述通孔在所述襯底上的投影面積沿第一方向逐漸減小包括：

在所述外延結構背離所述襯底一側形成第一光刻膠層；

利用第一波長的光線對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影，在所述第一光刻膠層中形成第一通孔；

在所述第一光刻膠層背離所述外延結構一側形成第二光刻膠層；

利用第二波長的光線對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影，在所述第二光刻膠層中形成第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔對應，組成所述光刻膠掩膜層中的通孔；

其中，所述第二波長大于所述第一波長；所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層為負光刻膠層。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻膠層為深紫外光刻膠層；所述第二光刻膠層為熱敏型光刻膠層。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

以所述光刻膠掩膜層為掩膜，在所述通孔內形成歐姆接觸層，所述金屬反射層位于所述歐姆接觸層背離所述外延結構一側，且覆蓋所述歐姆接觸層。