[發(fā)明專利]基于憶阻器陣列實(shí)現(xiàn)圖像連通區(qū)域判斷的方法及電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011124134.6
• 申請(qǐng)日: 2020-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN112215855A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳華強(qiáng);周穎;耿一文;張清天;高濱;唐建石;錢鶴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G06T7/11
• 分類號(hào): G06T7/11;G06T7/187;G06T1/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種基于憶阻器陣列實(shí)現(xiàn)圖像連通區(qū)域判斷的方法，其中，所述憶阻器陣列包括陣列排布的多個(gè)憶阻器單元，所述方法包括：

獲取待處理圖像，其中，所述待處理圖像為二值化圖像，且包括陣列排布的多個(gè)像素點(diǎn)，每個(gè)像素點(diǎn)的值為彼此不同的第一值和第二值中之一；

將所述待處理圖像中的每個(gè)像素點(diǎn)的值映射至所述憶阻器陣列對(duì)應(yīng)的憶阻器單元；

依次遍歷所述待處理圖像的所有像素點(diǎn)，且在遍歷所述待處理圖像的過程中，將每個(gè)被選擇的像素點(diǎn)及與所述被選擇的像素點(diǎn)在多個(gè)連通域檢測(cè)方向上滿足相鄰關(guān)系的多個(gè)相鄰像素點(diǎn)通過所述憶阻器陣列進(jìn)行像素標(biāo)簽處理，以得到所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽，

其中，所述憶阻器陣列配置為可進(jìn)行乘和運(yùn)算，所述像素標(biāo)簽的不同取值對(duì)應(yīng)于所述被選擇的像素點(diǎn)的不同的連通特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法用于標(biāo)記具有所述第二值的一個(gè)或多個(gè)像素點(diǎn)構(gòu)成的一個(gè)或多個(gè)連通域，

將每個(gè)被選擇的像素點(diǎn)及與所述被選擇的像素點(diǎn)在多個(gè)連通域檢測(cè)方向上滿足相鄰關(guān)系的多個(gè)相鄰像素點(diǎn)通過所述憶阻器陣列進(jìn)行像素標(biāo)簽處理，以得到所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽，包括:

響應(yīng)于所述被選擇像素點(diǎn)的值為所述第一值，所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽為S；

響應(yīng)于所述被選擇像素點(diǎn)的值為所述第二值，且響應(yīng)于所述多個(gè)相鄰像素點(diǎn)的值均為所述第一值，所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽為S+1；

響應(yīng)于所述被選擇像素點(diǎn)的值為所述第二值，且響應(yīng)于所述多個(gè)相鄰像素點(diǎn)中至少一個(gè)像素點(diǎn)的值為所述第二值，所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽為S+2，

其中，S為自然數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，每個(gè)憶阻器單元具有第一狀態(tài)或第二狀態(tài)，

將所述待處理圖像中的每個(gè)像素點(diǎn)的值映射至所述憶阻器陣列對(duì)應(yīng)的憶阻器單元，包括：

響應(yīng)于所述待處理圖像中的每個(gè)像素點(diǎn)的值為所述第一值，將所述憶阻器陣列中與所述每個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)位置的憶阻器單元設(shè)定為第一狀態(tài)；

響應(yīng)于所述待處理圖像中的每個(gè)像素點(diǎn)的值為所述第二值，將所述憶阻器陣列中與所述每個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)位置的憶阻器單元設(shè)定為第二狀態(tài)，

所述第一狀態(tài)不同于所述第二狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，所述憶阻器陣列包括M行N列，所述憶阻器陣列還包括M條字線、M條源線和N條位線，所述M條字線以及所述M條源線分別與所述M行對(duì)應(yīng)，所述N條位線分別與所述N列對(duì)應(yīng)，M和N為正整數(shù)，

所述多個(gè)憶阻器單元的每個(gè)在接收對(duì)應(yīng)的字線所施加的開啟信號(hào)被打開且在對(duì)應(yīng)的位線上被施加讀取電壓而被讀取時(shí)，響應(yīng)于所述第一狀態(tài)，在對(duì)應(yīng)的源線上產(chǎn)生第一讀取電流，響應(yīng)于所述第二狀態(tài)，在對(duì)應(yīng)的源線上產(chǎn)生第二讀取電流，

將每個(gè)被選擇的像素點(diǎn)及與所述被選擇的像素點(diǎn)在多個(gè)連通域檢測(cè)方向上滿足相鄰關(guān)系的多個(gè)相鄰像素點(diǎn)輸入所述憶阻器陣列中進(jìn)行乘和運(yùn)算，以得到所述被選擇的像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽，包括：

在連續(xù)p個(gè)周期內(nèi)使得所述被選擇像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的憶阻器單元產(chǎn)生p次第一讀取電流或第二讀取電流，并且在所述連續(xù)p個(gè)周期內(nèi)使得所述多個(gè)相鄰像素點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)的憶阻器單元在所述p個(gè)周期內(nèi)還分別產(chǎn)生1次第一讀取電流或第二讀取電流，

將所述被選擇像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的憶阻器單元產(chǎn)生的p次第一讀取電流或第二讀取電流與所述多個(gè)相鄰像素點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)的憶阻器單元分別產(chǎn)生的1次第一讀取電流或第二讀取電流進(jìn)行加和處理以得到總輸出電流信號(hào)，

將所述總輸出電流信號(hào)與參考電流信號(hào)進(jìn)行比較，得到所述被選擇像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽，

其中，p為與所述被選擇的像素點(diǎn)在多個(gè)連通域檢測(cè)方向上滿足相鄰關(guān)系的多個(gè)像素點(diǎn)的數(shù)量之和再加1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述參考電流信號(hào)包括第一參考電流和第二參考電流，所述第一參考電流不同于所述第二參考電流，

將所述總輸出電流信號(hào)與參考電流信號(hào)進(jìn)行比較，得到所述被選擇像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽，包括：

將所述總輸出電流信號(hào)與所述第一參考電流進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果得到第一標(biāo)簽值；

將所述總輸出電流信號(hào)與所述第二參考電流進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果得到第二標(biāo)簽值；

根據(jù)所述第一標(biāo)簽值和所述第二標(biāo)簽值，得到所述被選擇像素點(diǎn)的像素標(biāo)簽。