[發明專利]轉移膜、轉移組件和微器件曲面轉移方法有效
| 申請號： | 202011123961.3 | 申請日： | 2020-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN112234019B | 公開（公告）日： | 2023-01-17 |
| 發明（設計）人： | 郭嬋;龔政;潘章旭;劉久澄;胡詩犇;王建太;龐超;龔巖芬;陳志濤 | 申請（專利權）人： | 廣東省科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 張洋 |
| 地址： | 510650 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 轉移 組件 器件 曲面 方法 | ||
1.一種轉移膜，其特征在于，包括基底層、吸水層和拾取層，所述吸水層的一側與所述基底層連接，另一側和所述拾取層連接，所述基底層用于在所述吸水層吸水后與所述吸水層分離；所述拾取層用于拾取微器件，并用于將所述微器件轉移至待轉移基底上；
所述基底層包括第一基底和設于所述第一基底上的第一黏附層，所述第一黏附層與所述吸水層連接，所述第一黏附層用于在所述吸水層吸水后與所述吸水層分離；
所述第一黏附層靠近所述吸水層的一側設有分離孔。
2.根據權利要求1所述的轉移膜，其特征在于，所述拾取層遠離所述吸水層的一側設有保護層。
3.根據權利要求1所述的轉移膜，其特征在于，所述拾取層采用第二黏附層，所述第二黏附層以粘接方式拾取所述微器件。
4.一種轉移組件，其特征在于，包括待轉移基底和權利要求1至3中任一項所述的轉移膜，所述待轉移基底設于所述拾取層遠離所述吸水層的一側，所述待轉移基底用于承接所述拾取層上的所述微器件。
5.根據權利要求4所述的轉移組件，其特征在于，所述待轉移基底包括曲面襯底和第三黏附層，所述第三黏附層設于所述曲面襯底上，所述第三黏附層用于承接所述拾取層上的所述微器件。
6.一種微器件曲面轉移方法，其特征在于，轉移膜包括依次設置的基底層、吸水層和拾取層，所述基底層包括第一基底和設于所述第一基底上的第一黏附層，所述第一黏附層與所述吸水層連接，所述第一黏附層靠近所述吸水層的一側設有分離孔；所述微器件曲面轉移方法包括：
所述拾取層拾取微器件；
所述轉移膜和所述微器件共同浸入水中；所述吸水層吸水，以使所述吸水層和所述第一黏附層分離；
取出所述基底層，以使所述吸水層、所述拾取層和所述拾取層上的微器件浮在水面；
將曲面基底浸于水中，且設于所述微器件遠離拾取層的一側，以使所述微器件附著于所述曲面基底上；
將所述曲面基底、所述微器件、所述拾取層和所述吸水層共同移出水面；
去除所述拾取層和所述吸水層。
7.根據權利要求6所述的微器件曲面轉移方法，其特征在于，所述基底層包括第一基底和設于所述第一基底上的第一黏附層，所述第一黏附層靠近所述吸水層的一側設有分離孔；
所述吸水層吸水，以使所述吸水層和所述基底層分離的步驟中：
所述吸水層吸水，以使水滲入所述分離孔，所述第一黏附層的粘性降低，所述吸水層與所述第一黏附層分離。
8.根據權利要求6所述的微器件曲面轉移方法，其特征在于，將所述曲面基底、所述微器件、所述拾取層和所述吸水層共同移出水面的步驟后，還包括：
烘干所述曲面基底、所述微器件、所述拾取層和所述吸水層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
