[發(fā)明專利]一種粗銀提純的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011123466.2 | 申請日: | 2020-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN112210672B | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐寶強;王雙平;楊佳;楊斌;劉大春;戴永年;蔣文龍;王飛;李一夫;田陽;熊恒;曲濤;孔令鑫;孔祥峰 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號: | C22B9/02 | 分類號: | C22B9/02;C22B9/04;C22B11/00 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 趙琪 |
| 地址: | 650093 云南省*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提純 方法 | ||
本發(fā)明涉及火法冶金技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種粗銀提純的方法。本發(fā)明采用真空蒸餾?分區(qū)冷凝的方法,利用各種雜質(zhì)元素與銀的揮發(fā)特性與冷凝特性差異、真空蒸餾爐在豎直方向的溫度梯度,借助設(shè)計的冷凝裝置,在坩堝內(nèi)得到粗銀真空揮發(fā)殘余物(Sn、Cu、Au、Fe、Ag),在冷凝裝置得到分區(qū)冷凝的粗銀提純產(chǎn)品及雜質(zhì)合金(元素組成包括Se、Te、Sb、Pb、Bi、Ag),從而實現(xiàn)了對銀的提純。本發(fā)明整個提純過程在密閉的真空蒸餾爐內(nèi)進行,工藝流程短、設(shè)備操作智能簡單、無任何試劑藥品添加,無廢水廢氣產(chǎn)生、綠色高效。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及火法冶金技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種粗銀提純的方法。
背景技術(shù)
銀是較早被人類發(fā)現(xiàn)并利用的金屬之一。銀是導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、反射性最好的金屬,也擁有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和機械性能,因而被廣泛應(yīng)用在感光材料、裝飾材料、工藝品、電接觸材料、復(fù)合材料、合金焊料(如Sn-Ag、Sn-Ag-Zn系無鉛焊料)、銀漿、能源工業(yè)(銀-鋅電池、燃料電池、氫能、核能與太陽能的利用)、催化劑(有機合成等)、醫(yī)學(xué)藥物、抗菌材料等領(lǐng)域。
目前粗銀的提純方法主要有化學(xué)提純和萃取提純。
銀的化學(xué)提純方法是先將銀轉(zhuǎn)化為氯化銀等,再選用合適的還原劑將銀還原出來,主要有氨浸-水合肼還原提純、金屬粉置換法等方法。
銀為親硫元素,可用含硫萃取劑進行銀的萃取提純。授權(quán)公告號為CN 106924994B的發(fā)明專利提供了一種雙水相體系萃取分離銀的方法,具體包括待分離含銀溶液與雙水相體系和絡(luò)合劑混合萃取,靜置分層,銀離子分離進入有機相,其中雙水相體系包括C2~C3的醇、水和鹽析劑,絡(luò)合劑選自硫氰酸鉀和十六烷基三甲基溴化銨中的一種或幾種。
上述提純方法普遍存在步驟冗長,操作復(fù)雜的問題,且化學(xué)提純還會產(chǎn)生廢酸廢液。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種粗銀提純的方法,具有工藝流程短、操作簡單、無廢水廢氣產(chǎn)生、綠色高效等優(yōu)勢。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種粗銀提純的方法,包括以下步驟:
將盛有粗銀原料的坩堝放入真空蒸餾爐,在所述坩堝頂部安裝冷凝裝置,關(guān)閉所述真空蒸餾爐,打開所述真空蒸餾爐的冷卻水,打開真空泵將所述真空蒸餾爐抽真空,待爐內(nèi)壓強下降至1~10Pa時,開啟升溫和保溫程序,所述保溫程序的保溫溫度為1100~1400℃,保溫過程中維持爐內(nèi)壓強為1~10Pa;保溫后冷卻,待爐體冷卻后關(guān)閉真空泵,打開所述真空蒸餾爐的放氣閥,取出冷凝裝置,在冷凝裝置中得到冷凝的粗銀提純產(chǎn)品;
所述真空蒸餾爐為立式結(jié)構(gòu);
所述冷凝裝置包括底部開口的殼體,所述殼體的底部開口與坩堝的頂部開口連通;所述殼體的頂部為封閉結(jié)構(gòu);所述殼體內(nèi)在豎直方向上設(shè)置有多層冷凝盤,冷凝盤的層數(shù)在3層以上;每層冷凝盤上均開設(shè)有蒸汽通道,相鄰層冷凝盤上的蒸汽通道錯開分布。
優(yōu)選的,所述保溫程序的保溫時間為30~180min。
優(yōu)選的,所述冷凝裝置中冷凝盤的層數(shù)為3層,由下到上分別為第一層冷凝盤、第二層冷凝盤和第三層冷凝盤。
優(yōu)選的,所述第一層冷凝盤距坩堝上部的距離為1~4cm,第二層冷凝盤距坩堝上部的距離為4~6cm,第三層冷凝盤距坩堝上部的距離為8~14cm;所述第一層冷凝盤和第二層冷凝盤距坩堝上部的距離不同時為4cm。
優(yōu)選的,所述冷凝裝置的高度為20cm。
優(yōu)選的,所述蒸汽通道的直徑為2~5cm。
優(yōu)選的,所述粗銀的純度在50%以上,粗銀提純產(chǎn)品的純度為98%以上。
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