[發明專利]顯示設備在審
| 申請號： | 202011122856.8 | 申請日： | 2020-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN112701233A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 金楨國;文英慜;黃圭煥 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭文峰;韓芳 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備，所述顯示設備包括：
基底，所述基底包括：第一顯示區域，包括第一像素區域、與所述第一像素區域間隔開的第二像素區域和透射區域；以及第二顯示區域，與所述第一顯示區域相鄰；
第一像素，設置在所述第一像素區域中并且包括：第一像素電極；第一對電極；以及第一中間層，設置在所述第一像素電極與所述第一對電極之間；
第二像素，設置在所述第二像素區域中并且包括：第二像素電極；第二對電極；以及第二中間層，設置在所述第二像素電極與所述第二對電極之間；以及
橋接電極，將所述第一對電極電連接到所述第二對電極，
其中，所述橋接電極的厚度在從所述第一對電極和所述第二對電極中的一者朝向所述第一對電極和所述第二對電極中的另一者的方向上變化。
2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述橋接電極的一部分的厚度比所述橋接電極的另一部分的厚度大。
3.根據權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括：像素限定層，設置在所述第一像素電極和所述第二像素電極上并且包括各自暴露所述第一像素電極和所述第二像素電極中的每者的中心部分的第一開口和第二開口，
其中，所述橋接電極設置在所述像素限定層上。
4.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述橋接電極的最厚部分的厚度基本上等于所述第一對電極的厚度和所述第二對電極的厚度中的較大者。
5.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述橋接電極的厚度從所述橋接電極的最厚部分到所述橋接電極的最薄部分逐漸減小。
6.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第一顯示區域的透光率與所述第二顯示區域的透光率不同。
7.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第一顯示區域中的圖像的分辨率比所述第二顯示區域中的圖像的分辨率低。
8.根據權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括設置在所述第一顯示區域中的組件。
9.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第一對電極、所述第二對電極和所述橋接電極彼此成一體。
10.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述透射區域設置在所述第一對電極、所述第二對電極和所述橋接電極之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
