[發明專利]變頻器、三相電抗器以及三相電抗器的繞線方法

有效

• 申請號: 202011122643.5
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112366071B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 蔡旗;王國建;羅云
• 申請（專利權）人: 深圳市英威騰電氣股份有限公司
• 主分類號: H01F27/30
• 分類號: H01F27/30;H01F27/34;H01F41/098;H01F41/06
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張志江

1.一種三相電抗器，其特征在于，包括：

N根繞線柱，所述繞線柱為鐵硅磁芯或者鐵硅鋁磁芯；

第一相繞組、第二相繞組以及第三相繞組，均具有N個繞線段，每一繞線段繞設至一所述繞線柱上；

第一底板和第二底板，所述第一底板和所述第二底板平行設置，N根所述繞線柱設置于所述第一底板和所述第二底板之間；

其中，所述N大于等于3，每一所述相繞組的入線端在N根所述繞線柱上交錯設置，且每一所述相繞組在繞設至其入線端所在的所述繞線柱的繞制方向與繞設至其它所述繞線柱的繞線方向相反，以使得所述三相電抗器工作時，所述第一相繞組、第二相繞組以及第三相繞組的感量同步變化。

2.如權利要求1所述的三相電抗器，其特征在于，每一所述繞線柱具有為第一區域、第二區域以及第三區域；所述第一相繞組繞制于每一所述繞線柱的第一區域；所述第二相繞組繞制于每一所述繞線柱的第二區域；所述第三相繞組繞制于每一所述繞線柱的第三區域。

3.如權利要求1所述的三相電抗器，其特征在于，每一所述繞線柱包括串聯設置的第一子繞線柱、第二子繞線柱以及第三子繞線柱；所述第一相繞組繞制于每一所述繞線柱的第一子繞線柱；所述第二相繞組繞制于每一所述繞線柱的第二子繞線柱；所述第三相繞組繞制于每一所述繞線柱的第三子繞線柱。

4.如權利要求3所述的三相電抗器，其特征在于，每一所述子繞線柱之間設置有氣隙。

5.如權利要求1所述的三相電抗器，其特征在于，所述第一相繞組、第二相繞組以及第三相繞組層疊繞設至N根所述繞線柱上，所述第一相繞組、第二相繞組以及第三相繞組為內層、中層及外層。

6.如權利要求1所述的三相電抗器，其特征在于，在所述繞線柱的數量為3根時，3根所述繞線柱之間的距離相等。

7.如權利要求1所述的三相電抗器，其特征在于，所述三相電抗器還包括：

第一底板和第二底板，所述第一底板和所述第二底板平行設置。

8.如權利要求7所述的三相電抗器，其特征在于，所述第一底板的截面積大于每一所述繞線柱的截面積；

和或，所述第二底板的截面積大于每一所述繞線柱的截面積。

9.一種三相電抗器的繞線方法，應用于如權利要求1-8任意一項所述的三相電抗器中，所述三相電抗器包括三相繞組及N根繞線柱，所述三相繞組均具有N個繞線段，其特征在于，包括以下步驟：

將每一所述相繞組的N個所述繞線段分別繞制于對應的所述繞線柱上；

每一所述相繞組在繞設至其入線端所在的繞線柱的繞制方向與繞設至其它繞線柱的繞線方向相反。

10.一種變頻器，其特征在于，包括如權利要求1-8任意一項所述的三相電抗器，或者使用了如權利要求9所述的三相電抗器的繞線方法。