[發明專利]半導體器件在審
| 申請號： | 202011122456.7 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN112242173A | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發明（設計）人： | 小山潤 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | G11C19/28 | 分類號： | G11C19/28;G09G3/3208;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，
掃描線驅動電路中具有多級電路，
所述多級電路具有依次電連接的第一電路至第三電路，
所述第一電路至所述第三電路各自具有第一晶體管至第六晶體管，
在所述第一電路至所述第三電路的各個電路中，
所述第一晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第二晶體管的源極或漏極中的一個與所述第四晶體管的柵極電連接，
所述第三晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第四晶體管的源極或漏極中的一個與所述第五晶體管的柵極電連接，
所述第六晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極電連接，
并且，所述第一晶體管的源極或漏極中的另一個與所述第三晶體管的源極或漏極中的另一個電連接，
在所述第一電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第一布線電連接，所述第二晶體管的柵極與所述第三晶體管的柵極電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第二布線電連接，
在所述第二電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第三布線電連接，所述第二晶體管的柵極以及所述第三晶體管的柵極與所述第一布線電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第四布線電連接，
在所述第三電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第六布線電連接，所述第三晶體管的柵極與所述第三布線電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第五布線電連接，
所述第一晶體管至所述第六晶體管分別在氧化物半導體層中具有溝道形成區域，
所述氧化物半導體層具有In、Ga以及Zn，
所述第一電路具有向所述第一布線輸出第一掃描信號的功能，
所述第二電路具有向所述第三布線輸出第二掃描信號的功能，
所述第三電路具有向所述第六布線輸出第三掃描信號的功能，
所述第二布線具有將第一時鐘信號供應給所述第一電路的功能，
所述第四布線具有將第二時鐘信號供應給所述第二電路的功能，
所述第五布線具有將第三時鐘信號供應給所述第三電路的功能，
其中，所述半導體器件具有從所述多級電路的第一級電路輸出的掃描信號的電位由低電平變化為高電平開始、至從所述多級電路的最后一級電路輸出的掃描信號的電位由低電平變化為高電平為止的時段，
在所述時段，在所述第一時鐘信號向所述第二布線的輸入停止之后，所述第二時鐘信號向所述第四布線的輸入停止，
在所述時段，在所述第二時鐘信號向所述第四布線的輸入停止之后，所述第三時鐘信號向所述第五布線的輸入停止。
2.一種半導體器件，其特征在于，
掃描線驅動電路中具有多級電路，
所述多級電路具有依次電連接的第一電路至第三電路，
所述第一電路至所述第三電路各自具有第一晶體管至第六晶體管，
在所述第一電路至所述第三電路的各個電路中，
所述第一晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第二晶體管的源極或漏極中的一個與所述第四晶體管的柵極電連接，
所述第三晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第四晶體管的源極或漏極中的一個與所述第五晶體管的柵極電連接，
所述第六晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極電連接，
并且，所述第一晶體管的源極或漏極中的另一個與所述第三晶體管的源極或漏極中的另一個電連接，
在所述第一電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第一布線電連接，所述第二晶體管的柵極與所述第三晶體管的柵極電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第二布線電連接，
在所述第二電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第三布線電連接，所述第二晶體管的柵極以及所述第三晶體管的柵極與所述第一布線電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第四布線電連接，
在所述第三電路中，所述第五晶體管的源極或漏極中的一個以及所述第六晶體管的源極或漏極中的一個與第六布線電連接，所述第三晶體管的柵極與所述第三布線電連接，并且所述第五晶體管的源極或漏極中的另一個與第五布線電連接，
所述第一晶體管至所述第六晶體管分別在氧化物半導體層中具有溝道形成區域，
所述氧化物半導體層具有In、Ga以及Zn，
所述第一電路具有向所述第一布線輸出第一掃描信號的功能，
所述第二電路具有向所述第三布線輸出第二掃描信號的功能，
所述第三電路具有向所述第六布線輸出第三掃描信號的功能，
所述第二布線具有將第一時鐘信號供應給所述第一電路的功能，
所述第四布線具有將第二時鐘信號供應給所述第二電路的功能，
所述第五布線具有將第三時鐘信號供應給所述第三電路的功能，
其中，在一個幀周期，在所述第一時鐘信號向所述第二布線的輸入停止之后，所述第二時鐘信號向所述第四布線的輸入停止，
在所述一個幀周期，在所述第二時鐘信號向所述第四布線的輸入停止之后，所述第三時鐘信號向所述第五布線的輸入停止。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社半導體能源研究所，未經株式會社半導體能源研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011122456.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
