[發明專利]存儲器的讀取方法以及電壓補償裝置

有效

• 申請號: 202011121625.5
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112201297B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 郭曉江;張超;李海波
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/08;G11C16/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種存儲器的讀取方法，所述存儲器包括多條字線以及連接于所述多條字線上的多個多位存儲單元，所述多位存儲單元用以通過多階預設讀取電壓，以讀取所述多位存儲單元的存儲值，其特征在于，所述讀取方法包括：

定義步驟，分別定義所述多階預設讀取電壓的各階至少一讀取偏移量；

偏移設定步驟，選擇所述多階預設讀取電壓中的至少一階預設讀取電壓作為取樣電壓，對欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元進行讀取，并根據所述取樣電壓的取樣讀值，設定代表讀取偏移量大小的偏移標志，其中，當所述取樣電壓為N個時，各階所述預設讀取電壓的讀取偏移量為N+1個，N大于等于2；

讀取步驟，將所述多階預設讀取電壓分別結合各階所述預設讀取電壓對應于所述偏移標志的讀取偏移量，對所述欲讀取的多位存儲單元進行讀取。

2.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，每個所述多位存儲單元用以被編程于多階閾值電壓其中之一，當所述取樣電壓為N個時，所述多位存儲單元落入N+1個因各階所述閾值電壓不同而得的取樣讀值分區的其中之一，每個所述取樣讀值分區對應一個所述偏移標志，所述偏移設定步驟具體包括：

取樣讀值獲取步驟，以N個取樣電壓獲取欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元的讀值；

取樣讀值分區步驟，根據所述讀值，將所述欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元分類到N+1個所述取樣讀值分區其中之一；

偏移標志獲取步驟，根據被分類到的所述取樣讀值分區，獲取對應的所述偏移標志。

3.根據權利要求2所述的讀取方法，其特征在于，所述讀取步驟具體包括：

確定步驟，對應于所述偏移標志，確定該階預設讀取電壓的當前讀取偏移量；

執行步驟，讀取所述欲讀取的多位存儲單元的電壓為所述該階預設讀取電壓與所述當前讀取偏移量之和。

4.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，所述偏移標志以log₂(N+1)個位元表示。

5.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，所述讀取偏移量包括電壓偏移值與電壓偏置時間其中之一。

6.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，所述相鄰字線為所述欲讀取的多位存儲單元所在的字線的下一條字線。

7.一種電壓補償裝置，應用于存儲器，所述存儲器包括多條字線以及連接于所述多條字線上的多個多位存儲單元，所述多位存儲單元用以通過多階預設讀取電壓，以讀取所述多位存儲單元的存儲值，其特征在于，所述電壓補償裝置包括：

定義模塊，用以分別定義所述多階預設讀取電壓的各階至少一讀取偏移量；

偏移設定模塊，用以選擇所述多階預設讀取電壓中的至少一階預設讀取電壓作為取樣電壓，對欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元進行讀取，并根據所述取樣電壓的取樣讀值，設定代表讀取偏移量大小的偏移標志，其中，當所述取樣電壓為N個時，各階所述預設讀取電壓的讀取偏移量為N+1個，N大于等于2；

讀取模塊，用以將所述多階預設讀取電壓分別結合各階所述預設讀取電壓對應于所述偏移標志的讀取偏移量，對所述欲讀取的多位存儲單元進行讀取。

8.根據權利要求7所述的電壓補償裝置，其特征在于，每個所述多位存儲單元用以被編程于多階閾值電壓其中之一，當所述取樣電壓為N個時，所述多位存儲單元落入N+1個因各階所述閾值電壓不同而得的取樣讀值分區的其中之一，每個所述取樣讀值分區對應一個所述偏移標志，所述偏移設定模塊具體包括：

取樣讀值獲取單元，用以以N個取樣電壓獲取欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元的讀值；

讀值分區單元，用以根據所述讀值，將所述欲讀取的多位存儲單元的相鄰字線上的多位存儲單元分類到N+1個所述取樣讀值分區其中之一；

偏移標志獲取單元，用以根據被分類到的所述取樣讀值分區，獲取對應的所述偏移標志。