[發明專利]基準電壓源電路

有效

• 申請號: 202011121202.3
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112198921B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種基準電壓源電路，其特征在于，所述基準電壓源電路包括：

電流鏡電路，包括相互鏡像的第一電流路徑和第二電流路徑；所述第一電流路徑用于根據第二電流路徑產生與電源無關的偏置電流；

鏡像電路，連接所述電流鏡電路，用于復制所述偏置電流產生鏡像電流；

負溫度系數產生電路，包括負溫度系數節點NB1，所述負溫度系數節點NB1連在電阻R1和所述電流鏡電路之間，通過所述電流鏡電路在所述電阻R1上產生負溫度系數電流，在所述負溫度系數節點NB1上產生負溫度系數電壓；

正溫度系數產生電路，所述鏡像電流流經所述正溫度系數產生電路，所述正溫度系數產生電路能夠形成正溫度系數電壓；所述正溫度系數產生電路還與所述負溫度系數節點NB1連接，使得所述負溫度系數節點NB1上的負溫度系數電壓，與所述正溫度系數產生電路形成的正溫度系數電壓權重疊加，輸出與溫度無關的基準預備電壓；

放大輸出電路，所述放大輸出電路連接所述正溫度系數產生電路，形成以所述基準預備電壓為輸入電壓的共柵放大器；所述放大輸出電路包括NMOS管MN7；

所述正溫度系數產生電路包括二級正溫度系數產生電路；

所述二級正溫度系數產生電路包括NMOS管MN5和NMOS管MN6；

所述NMOS管MN5的漏極與NMOS管MN6的源極相連，用于產生與溫度無關的基準預備電壓；

所述NMOS管MN7的柵極連接所述NMOS管MN6的漏極，與所述NMOS管MN6構成共柵放大器；

所述NMOS管MN7的漏極連接電源，NMOS管MN7的源極用于根據所述基準預備電壓產生基準電壓。

2.如權利要求1所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述負溫度系數產生電路還包括NMOS管MN1和NMOS管MN2；

所述第一電流路徑上設有偏置節點NB2；

所述NMOS管MN1的柵極連接所述負溫度系數節點NB1，漏極連接所述偏置節點NB2，源極接地；

所述NMOS管MN2的柵極連接所述偏置節點NB2，漏極連接所述第二電流路徑的輸出端，源極連接所述負溫度系數節點NB1。

3.如權利要求1所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述正溫度系數產生電路包括NMOS管MNX和NMOS管MNY；

所述NMOS管MNX的源極連接所述負溫度系數節點NB1，NMOS管MNX的柵極連接NMOS管MNY的柵極并連接NMOS管MNY的漏極，所述鏡像電流流入所述NMOS管MNY的漏極；

所述NMOS管MNX的漏極與NMOS管MNY的源極用于形成所述基準預備電壓。

4.如權利要求1所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述正溫度系數產生電路還包括一級正溫度系數產生電路；所述鏡像電路包括第一鏡像電路和第二鏡像電路；

所述第一鏡像電路和第二鏡像電路分別連接所述電流鏡電路，用于分別復制所述偏置電流產生第一鏡像電流和第二鏡像電流；

所述第一鏡像電流流入所述一級正溫度系數產生電路，所述第二鏡像電流流入所述二級正溫度系數產生電路；

所述一級正溫度系數產生電路能夠產生第一正溫度系數電壓，能夠將負溫度系數節點NB1上的負溫度系數電壓，與所第一正溫度系數電壓權重疊加，并在疊加節點NB3處輸出一級正負溫度量權重疊加電壓給二級正溫度系數產生電路；

所述二級正溫度系數產生電路能夠產生第二正溫度系數電壓，能夠將所述一級正負溫度量權重疊加電壓，與所述第二正溫度系數電壓進行進一步權重疊加，產生所述基準預備電壓。

5.如權利要求4所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一鏡像電路包括PMOS管MP3，所述第二鏡像電路包括PMOS管MP4；

所述PMOS管MP3的源極連接電源，柵極連接所述第二電流路徑的輸出端，漏極用于產生所述第一鏡像電流；

所述PMOS管MP4的源極連接電源，柵極連接所述第二電流路徑的輸出端，漏極用于產生所述第二鏡像電流。