[發明專利]改善電極板接觸應力的MIM電容有效
| 申請號： | 202011121177.9 | 申請日： | 2020-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN112259521B | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發明（設計）人： | 楊宏旭;劉俊文;牛忠彩 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 極板 接觸應力 mim 電容 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善電極板接觸應力的MIM電容，其特征在于，所述改善電極板接觸應力的MIM電容形成于介質阻擋層上，包括：
第一TaN導電層，所述第一TaN導電層位于所述介質阻擋層上，形成所述MIM電容的下極板；
第二TaN導電層，所述第二TaN導電層位于所述第一TaN導電層上，形成所述MIM電容的上極板；
介質層，所述介質層位于所述第一TaN導電層和所述第二TaN導電層之間；
應力緩沖層，所述應力緩沖層包括相對的上表面和下表面，所述上表面與所述第一TaN導電層接觸，所述下表面與所述介質阻擋層接觸；
所述應力緩沖層的應力范圍為100-400MPa；
所述應力緩沖層的厚度為400A-600A；
所述介質層包括氮化硅層，和位于所述氮化硅層上、下兩側的氧化層；
所述介質阻擋層的應力范圍為500-2500MPa。
2.如權利要求1所述的改善電極板接觸應力的MIM電容，其特征在于，所述應力緩沖層的材料為二氧化硅。
3.如權利要求1所述的改善電極板接觸應力的MIM電容，其特征在于，所述介質阻擋層的材料為摻雜碳化硅。
4.如權利要求1所述的改善電極板接觸應力的MIM電容，其特征在于，所述氧化層的材料為二氧化硅。
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