[發(fā)明專利]一種單層單晶MoS2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011120694.4
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112210829B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周生學(xué);焦麗穎
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B25/18
• 代理公司: 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489
• 代理人: 鄭久興

1.一種單層單晶MoS₂的制備方法，其特征在于，包括：

將氧源、鉬源和硫源置入管式爐；

將所述管式爐內(nèi)的溫度升溫至第一預(yù)設(shè)溫度，恒溫第一預(yù)設(shè)時(shí)間后，將所述管式爐內(nèi)的溫度降至室溫，獲得單層單晶MoS₂；其中，

取CeO₂作為氧源，平鋪在基底上；

將載有CeO₂與鉬源的石英舟推入化學(xué)氣相沉積管式爐中心區(qū)處；

將所述硫源設(shè)置在所述管式爐的上游爐口；

通入Ar氣清洗所述管式爐，以20℃/min的速率升溫至750℃-950℃，恒溫20分鐘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

載氣以預(yù)設(shè)流速通入所述管式爐。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，

在所述管式爐升溫前，所述載氣通入所述管式爐第二預(yù)設(shè)時(shí)間，以排盡所述管式爐內(nèi)的空氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，

所述硫源設(shè)置在所述管式爐的上游爐口；

所述管式爐內(nèi)的溫度以預(yù)設(shè)升溫速率升溫至第一預(yù)設(shè)溫度前，所述管式爐內(nèi)的溫度升溫至第二預(yù)設(shè)溫度，硫蒸氣通入所述管式爐。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，

預(yù)設(shè)重量的硫片放置在第一載體上，當(dāng)所述管式爐溫度升溫至所述第二預(yù)設(shè)溫度時(shí)，打開設(shè)置在所述管式爐的加熱帶，對所述硫片加熱并產(chǎn)生所述硫蒸氣，所述硫蒸氣以所述載氣為載體通入所述管式爐。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述鉬源為電化學(xué)陽極化處理的鉬箔、鉬的氧化物、或過渡金屬與堿金屬形成的硫代硫酸鹽。

7.一種單層單晶MoS₂的制備方法，其特征在于，包括：

將氧源、鉬源和硫源置入管式爐；

將所述管式爐內(nèi)的溫度升溫至第一預(yù)設(shè)溫度，恒溫第一預(yù)設(shè)時(shí)間后，將所述管式爐內(nèi)的溫度降至室溫，獲得單層單晶MoS₂；其中，

取CeO₂作為氧源，平鋪在基底上；

將載有CeO₂與鉬源的石英舟推入化學(xué)氣相沉積管式爐中心區(qū)處；

將所述硫源設(shè)置在所述管式爐的上游爐口；

通入Ar氣清洗所述管式爐，以20℃/min的速率升溫至750℃-950℃，恒溫5分鐘。

8.一種單層單晶MoS₂，其特征在于，

通過權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到。