[發(fā)明專利]一種模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011120600.3 | 申請日: | 2020-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN112210832B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁利蘋;田董昀昊;邵鵬;唐妍;張方輝;雷濤;趙梓利 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號: | C30B33/00 | 分類號: | C30B33/00;C30B29/38;C30B29/64 |
| 代理公司: | 西安銘澤知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 梁靜 |
| 地址: | 710021 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模擬 單層 六角 氮化 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、構(gòu)建基底材料模型;
S2、獲得不同邊界的hBN納米帶;
沿hBN納米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四種邊界剪切,獲得四種不同邊界hBN納米帶;
S3、構(gòu)建hBN納米片或氫鈍化hBN納米片模型;
從S2獲得的不同邊界的hBN納米帶中,任選兩個相同或不同hBN納米帶置于S1提供的基底材料模型上,模擬融合,獲得不同邊界hBN納米片模型;
對S2獲得的不同邊界hBN納米帶的邊界分別進(jìn)行氫鈍化,獲得不同邊界氫鈍化hBN納米帶,再任選兩個相同或不同氫鈍化hBN納米帶置于S1提供的基底材料模型上,獲得不同邊界氫鈍化hBN納米片模型;
S4、確定最佳可融合成單晶hBN納米片模型;
基于第一性原理分別對S3獲得的不同邊界hBN納米片模型及不同邊界氫鈍化hBN納米片模型進(jìn)行結(jié)構(gòu)弛豫,分別獲得不同邊界的hBN納米片模型體系的總能量和相對能量,以及不同邊界的氫鈍化hBN納米片模型體系的總能量和相對能量,通過比較兩種體系的相對能量,篩選能量最低的結(jié)構(gòu),分別獲得氫鈍化邊界hBN最佳可融合成單晶hBN納米片模型及無氫鈍化hBN最佳可融合成單晶hBN納米片模型;
S5、確定氫壓范圍;
通過計(jì)算繪制氫鈍化邊界hBN最佳可融合成單晶hBN納米片模型與無氫鈍化hBN最佳可融合成單晶hBN納米片模型間的熱動能相圖,確定氫壓范圍,并且判斷圓形hBN晶粒邊界是否被氫鈍化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,所述構(gòu)建基底材料模型,具體步驟如下:
以基底材料的晶體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),沿晶體結(jié)構(gòu)的基本方向截取五原子厚單胞晶面,并將所述的單胞晶面擴(kuò)大為n×m超胞晶面;隨后將擴(kuò)大的超胞晶面底層原子固定,其余四層原子完全放松;然后基于第一性原理進(jìn)行結(jié)構(gòu)弛豫優(yōu)化,獲得基底材料模型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,所述基底材料為金或銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,所述n×m超胞晶面中的n,m各自獨(dú)立取值為3~10中的整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,S3中,置于基底表面的hBN納米帶或氫鈍化hBN納米帶放置于距離基底最頂層處,且相鄰兩個hBN納米帶或氫鈍化hBN納米帶之間的距離>
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,所述模擬融合過程中,通過分子動力學(xué)模擬兩個相同或不同的hBN納米帶的融合過程,模擬溫度設(shè)置為273K到1400K,并通過視頻呈現(xiàn)整個過程;
或者,所述模擬融合過程中,通過分子動力學(xué)模擬兩個相同或不同的氫鈍化hBN納米帶的融合過程,模擬溫度設(shè)置為273K到1400K,并通過視頻呈現(xiàn)整個過程。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述四種不同邊界hBN納米帶為扶手椅型BN(BNac)納米帶、扶手椅型NB(NBac)納米帶、富硼“Z”字型(Bzz)納米帶及富氮“Z”字型(Nzz)納米帶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的模擬單層單晶六角氮化硼薄膜的制備方法,其特征在于,S3中,所述不同邊界的hBN納米片模型為BNac-BNac、BNac-NBac、NBac-NBac、NBac-BNac、BNac-Bzz、BNac-Nzz、NBac-Bzz、NBac-Nzz、Bzz-Bzz、Bzz-Nzz、Bzz-BNac、Bzz-NBac、Nzz-Bzz、Nzz-Nzz、Nzz-BNac、Nzz-NBac。
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