[發(fā)明專利]一種用于柔性顯示屏的基于聚吡咯導電層的發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011120013.4 | 申請日: | 2020-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN112331792B | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉賓虹;馬賽男;李洲鵬 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;C09D5/24;C09D179/04;C09D105/16;C09D5/22;C09D133/12 |
| 代理公司: | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人: | 周世駿 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 柔性 顯示屏 基于 吡咯 導電 發(fā)光 器件 | ||
1.一種用于柔性顯示屏的基于聚吡咯導電層的發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在90℃溫度下,取 100 mL的去離子水溶解10 g的β-環(huán)糊精,得到β-環(huán)糊精溶液;取10 mL 去離子水溶解2 g十二烷基苯磺酸鈉,超聲振動分散5分鐘后加入上述β-環(huán)糊精溶液,攪拌均勻后得到β-環(huán)糊精的十二烷基苯磺酸鈉包合物;
(2)在氮氣氛和攪拌條件下,向β-環(huán)糊精的十二烷基苯磺酸鈉包合物中逐滴加入20 g吡咯,繼續(xù)攪拌分散30分鐘得到吡咯微膠囊溶液;然后逐滴加入30wt%的雙氧水10 mL,繼續(xù)攪拌均勻后冷卻至室溫,得到聚吡咯微膠囊溶液;將微膠囊溶液噴霧進入液氮閃凍,移至冷凍干燥器中冷凍干燥12 h,得到聚吡咯微膠囊;取聚吡咯微膠囊1 mg,溶解于5 mL去離子水中,超聲分散后得到導電層涂料;
(3)取5 mg空穴傳輸材料N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺,溶于 1mL 氯仿中,得到NPB氯仿溶液作為空穴傳輸層涂料;
(4)取磷光客體材料,按1 mg溶于1 mL氯仿的比例配制成溶液;然后取0.1 mL溶解于1mL濃度為5 mg/mL的4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯氯仿溶液中,作為發(fā)光層涂料;
(5)取5 mg空穴阻擋材料2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲,溶于 1 mL 氯仿中,得到BCP氯仿溶液作為空穴阻擋層涂料;
(6)取5 mg聚甲基丙烯酸甲酯,溶于 1 mL 氯仿中,得到PMMA氯仿溶液作為透明外層涂料;
(7)取步驟(2)得到的導電層涂料采用旋涂法涂敷于作為陰極集電極和反光層的潔凈鋁膜表面,晾干后形成陰極導電層;通過旋涂法將步驟(5)得到的空穴阻擋層涂料涂敷于陰極導電層之上,晾干后形成空穴阻擋層;再次通過旋涂法將步驟(4)得到的發(fā)光層涂料涂敷于空穴阻擋層之上,晾干后形成發(fā)光層;同樣采用旋涂法將步驟(3)得到的空穴傳輸層涂料涂敷于發(fā)光層之上,晾干后形成空穴傳輸層;通過旋涂法將步驟(2)得到的導電層涂料涂敷于空穴傳輸層之上,晾干后形成陽極導電層;通過旋涂法將步驟(6)得到的透明外層涂料涂敷于陽極導電層之上,晾干后形成外保護層;得到發(fā)光元器件;
(8)在60℃溫度下將上述發(fā)光元器件置于氧分壓為0.5 atm的N2/O2混合氣氛中,聚合10h;在陰極導電層中形成陰極聚吡咯網(wǎng)絡,形成陰極聚吡咯導電層;在陽極導電層中形成陽極聚吡咯網(wǎng)絡,形成陽極聚吡咯導電層;所述發(fā)光元器件成為用于柔性顯示屏的基于聚吡咯導電層的發(fā)光器件;
所述發(fā)光器件包括作為陰極集電極和反光層的鋁膜;其特征在于,在鋁膜的表面,由下至上依次為:由聚吡咯網(wǎng)絡構成的陰極聚吡咯導電層、空穴阻擋層、發(fā)光層、空穴傳輸層、由聚吡咯網(wǎng)絡構成的陽極聚吡咯導電層和外保護層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述空穴阻擋層的材質為2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲;所述發(fā)光層由磷光客體材料和4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯主體材料組成;所述空穴傳輸層的材質為N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺;所述陽極聚吡咯導電層是指由聚吡咯網(wǎng)絡構成的陽極導電層;所述外保護層為聚甲基丙烯酸甲酯有機玻璃基材。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述空穴阻擋層的厚度為4~10 nm,發(fā)光層的厚度為30~50 nm,空穴傳輸層的厚度為40~70 nm,作為電子傳輸層的陰極聚吡咯導電層或陽極聚吡咯導電層的厚度為40~70 nm;外保護層的厚度為100~150 nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟(1)中,超聲頻率為40 kHz。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟(4)中,磷光客體材料是指含有銥配合物、鉑配合物或兩者衍生物的藍色磷光材料、紅色磷光材料或綠色磷光材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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