[發(fā)明專利]一種晶圓側(cè)壁和背面封堵保護(hù)層加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011119872.1 | 申請日： | 2020-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN112233968A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 嚴(yán)立巍;文鍾;符德榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越城區(qū)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 側(cè)壁 背面 封堵 保護(hù)層 加工 工藝 | ||
1.一種晶圓側(cè)壁和背面封堵保護(hù)層加工工藝，其特征在于，包括如下步驟：
S1：晶圓表面沉積
將SiOx及SiOxNy外延復(fù)合堆疊在晶圓(1)的表面，形成SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜(2)，外延成長的厚度若是Xum，則所需封堵的絕緣層厚度最少是0.2Xum才能完全阻隔；
S2、移除晶圓正面保護(hù)層
使用精確邊緣焊道移除控制或者環(huán)狀氣環(huán)保護(hù)的單晶圓式單面濕蝕刻方式，將晶圓(1)正面覆蓋的SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜(2)蝕刻掉，留下晶圓(1)反面、側(cè)端以及正面邊緣的SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜(2)；
S3、外延磊晶覆膜
在晶圓(1)正面外延生長出磊晶厚膜(3)；
S4、保護(hù)SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜去除
將晶圓(1)置于高溫爐管中氧化灼燒，在磊晶厚膜(3)上生成氧化膜(4)；
S5、去除SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜
使用HF蝕刻掉晶圓(1)上剩余的SiOx及SiOxNy復(fù)合薄膜(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓側(cè)壁和背面封堵保護(hù)層加工工藝，其特征在于，所述S1中SiOx及SiOxNy外延復(fù)合堆疊的溫度為1100-1200℃，外延成長的厚度為5-50um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓側(cè)壁和背面封堵保護(hù)層加工工藝，其特征在于，所述S3中磊晶厚膜(3)的厚度為30-40um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓側(cè)壁和背面封堵保護(hù)層加工工藝，其特征在于，所述S4中氧化膜(4)的厚度為10-20um。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
