[發(fā)明專利]一種具有圖案的薄膜鍵合體、制備方法及電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011119370.9
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112259677B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王金翠;張秀全;張濤;劉桂銀;李真宇
• 申請（專利權(quán)）人: 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H01L41/312
• 分類號: H01L41/312;H01L41/331;H01L41/18
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種具有圖案的薄膜鍵合體的制備方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備基底層；

在所述基底層頂表面形成與目標(biāo)薄膜圖案相同的圖案保護(hù)層，以及裸露區(qū)，其中，所述裸露區(qū)是指所述基底層頂表面沒有被所述圖案保護(hù)層覆蓋的區(qū)域；

對所述裸露區(qū)表面處理，使所述裸露區(qū)的表面粗糙度大于或等于所述基底層頂表面與薄膜層鍵合分離的粗糙度臨界值；

去除所述圖案保護(hù)層，得到處理后的基底層，所述處理后的基底層頂表面包括裸露區(qū)和鍵合區(qū)，所述鍵合區(qū)的表面粗糙度小于所述基底層頂表面與薄膜層鍵合分離的粗糙度臨界值，其中，所述鍵合區(qū)是指去除所述圖案保護(hù)層后，基底層上對應(yīng)所述圖案保護(hù)層的區(qū)域；

利用離子注入法，在薄膜基體內(nèi)形成薄膜層、分離層和余質(zhì)層；

利用鍵合分離法，在處理后的基底層頂表面形成具有目標(biāo)薄膜圖案的圖案薄膜層，其中，所述薄膜層中與所述鍵合區(qū)對應(yīng)的區(qū)域與所述鍵合區(qū)鍵合并保留于所述處理后的基底層頂表面，所述薄膜層中與所述裸露區(qū)對應(yīng)的區(qū)域，以及，余質(zhì)層從所述處理后的基底層頂表面剝離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述裸露區(qū)的表面粗糙度大于或等于0.5nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用鍵合分離法，在處理后的基底層頂表面形成具有目標(biāo)薄膜圖案的圖案薄膜層，包括：

將所述薄膜層與處理后的基底層頂表面鍵合，形成鍵合體；

對所述鍵合體熱處理，所述薄膜層中與所述裸露區(qū)對應(yīng)的區(qū)域，以及，余質(zhì)層從處理后的基底層頂表面剝離，在處理后的基底層頂表面形成具有目標(biāo)薄膜圖案的圖案薄膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用光刻方法，在基底層頂表面形成與目標(biāo)薄膜圖案相同的圖案保護(hù)層，所述圖案保護(hù)層的材料為光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述準(zhǔn)備基底層包括：

依次在襯底層上制備缺陷層和隔離層，形成所述基底層，其中所述缺陷層位于所述襯底層和所述隔離層之間，所述隔離層位于所述基底層的頂層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，采用刻蝕方法或化學(xué)腐蝕方法，對所述裸露區(qū)表面處理；采用丙酮溶液去除所述圖案保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案薄膜層為鈮酸鋰、鉭酸鋰、石英、砷化鎵、硅、磷酸鈦氧鉀或磷酸鈦氧銣晶體材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述裸露區(qū)的表面粗糙度大于或等于0.4nm。

9.一種具有圖案的薄膜鍵合體，其特征在于，所述具有圖案的薄膜鍵合體采用如權(quán)利要求1-8任一所述方法制備得到。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有圖案的薄膜鍵合體，其特征在于，裸露區(qū)的表面粗糙度大于或等于0.5nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有圖案的薄膜鍵合體，其特征在于，裸露區(qū)的表面粗糙度大于或等于0.4nm。

12.一種電子器件，其特征在于，所述電子器件包括如權(quán)利要求9-11任一所述的具有圖案的薄膜鍵合體。