[發明專利]一種含鉍化合物、制備方法及應用在審
| 申請號： | 202011118628.3 | 申請日： | 2020-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN114380865A | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 孟鴻;陳小龍;繆景生;賀耀武;施明;蔣明杰;劉銘;賀超 | 申請（專利權）人： | 北京大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | C07F9/94 | 分類號： | C07F9/94;C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭偉剛 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南山區西麗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種含鉍化合物，其特征在于，分子式如下：
其中，R1、R2、R3為芳香基團，所述含鉍化合物為半導體。
2.根據權利要求1所述的含鉍化合物，其特征在于，R1、R2、R3為相同或者不同的官能團。
3.根據權利要求1所述的含鉍化合物，其特征在于，R1、R2、R3為下列官能團中的任意一種：
4.一種有機光取出層材料，特征在于，使用權利要求1-3中任意一項的含鉍化合物作為單體聚合得到。
5.一種含鉍高分子化合物，其特征在于，為以Bi為主鏈的聚合物，通過將權利要求1-3中任意一項的含鉍化合物作為單體聚合得到。
6.根據權利要求5所述的含鉍高分子化合物，其特征在于，為如下結構式中的一種：
7.一種含鉍高分子化合物的制備方法，其特征在于，制備原理如下：
其中，R1、R2、R3為芳香基團，使用的單體為含鉍化合物，所述含鉍化合物為半導體。
8.一種含鉍高分子化合物，其特征在于，將權利要求1-3中任意一項的含鉍化合物作為給體/受體單元，與其它的小分子給受體共聚形成D-A、D-A-D或A-D-A共聚物。
9.根據權利要求8所述的含鉍高分子化合物，其特征在于，所述其它的小分子給受體，為下列小分子單元中的任意一種：
10.根據權利要求8所述的含鉍高分子化合物，其特征在于，為如下結構式中的一種：
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