[發明專利]堆疊結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202011118468.2
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112744780A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 葉婕安;郭泰宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/04
• 分類號: B81B7/04;B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種堆疊結構包含聚合物層和金屬層。所述金屬層安置在所述聚合物層上。所述聚合物層的表面上的毛刺長度為約0.8μm到約150μm，且所述金屬層的表面上的毛刺長度為約0.8μm到約7μm。

技術領域

本公開涉及一種堆疊結構和一種方法，且涉及一種具有減少的毛刺的堆疊結構和一種用于制造堆疊結構的方法。

背景技術

微機電系統(MEMS)技術廣泛用于便攜式通信設備，尤其用于智能電話。MEMS封裝結構可為電子結構提供基礎保護功能。此外，為改進信號噪聲比性能，進一步需要MEMS封裝結構以對環境電磁干擾提供屏蔽功能。此外，在MEMS封裝結構用于智能電話時，有必要對射頻(RF)波段提供濾波功能。

發明內容

在一些實施例中，一種堆疊結構包含聚合物層和金屬層。所述金屬層安置在所述聚合物層上。所述聚合物層的表面上的毛刺長度為約0.8μm到約150μm，且所述金屬層的表面上的毛刺長度為約0.8μm到約7μm。

在一些實施例中，一種堆疊結構包含聚合物層和金屬層。所述金屬層安置在所述聚合物層上。所述堆疊結構的側面界定凹痕結構。

在一些實施例中，一種用于形成堆疊結構的方法包含：(a)提供多層結構，其包括聚合物層和安置在所述聚合物層上的金屬層；以及(b)通過使用V形刀片和標準刀片來切穿所述多層結構。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述易于理解本公開的一些實施例的方面。應注意，各種結構可能未按比例繪制，且各種結構的尺寸可出于論述清晰起見而任意增大或減小。

圖1說明根據本公開的一些實施例的堆疊結構的實例的截面圖。

圖2說明根據本公開的一些實施例的堆疊結構的實例的截面圖。

圖3說明根據本公開的一些實施例的堆疊結構的實例的截面圖。

圖4說明根據本公開的一些實施例的堆疊結構的實例的截面圖。

圖5說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段(stage)。

圖6說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖7說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖8說明根據本公開的一些實施例的標準刀片的實例的截面圖。

圖9說明圖8中的區域“A”的放大圖。

圖10說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖11說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖12說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖13說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖14說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖15說明根據本公開的一些實施例的用于制造堆疊結構的方法的實例的一或多個階段。

圖16說明根據本公開的一些實施例的V形刀片的實例的截面圖。

圖17說明圖16中的區域“B”的放大圖。

圖18說明根據本公開的一些實施例的V形刀片的實例的截面圖。

圖19說明根據本公開的一些實施例的V形刀片的實例的截面圖。