[發(fā)明專利]一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011118330.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN112210101A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閔永剛;余文濤;廖松義;劉屹東;譚婉儀;朋小康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué);東莞華南設(shè)計(jì)創(chuàng)新院
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L79/08;C08L27/18;C08G73/10
• 代理公司: 東莞科言知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44671
• 代理人: 何文婕

1.一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，將二元胺單體和二元酐單體分別溶解于有機(jī)溶劑中，所述二元酐單體分批加入，在氮?dú)饣驓鍤獾臍夥障录笆覝叵聰嚢璺磻?yīng)得到聚酰胺酸溶液；

步驟S2，向聚酰胺酸溶液中加入聚四氟乙烯微粉，在預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行攪拌，得到混合溶液；

步驟S3，將混合溶液進(jìn)行旋涂，得到聚酰胺酸薄膜，然后經(jīng)梯度亞胺化處理，制得低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述聚四氟乙烯微粉在混合溶液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％～40％。

3.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述聚四氟乙烯微粉為顆粒尺寸為5μm～10μm的粉末。

4.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述的所述二元酐單體為PMDA、BTDA、BPDA、3FDA、6FDA中的一種或多種，其分子結(jié)構(gòu)式如下所示：

5.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述的二元胺單體為PDA、ODA、TFMOB、TFMB、或BDAF中的一種或多種，其分子結(jié)構(gòu)式如下所示：

6.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述的二元胺單體和二元酐單體的摩爾比為1：(1～1.2)；所述二元胺單體和二元酐單體的質(zhì)量之和與有機(jī)溶劑的質(zhì)量比為(0.1～0.5)：2。

7.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑為N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮中的一種或多種。

8.如權(quán)利要求1所述的一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，預(yù)設(shè)溫度為20～50℃；步驟S3中，梯度亞胺化處理的溫度為100～400℃。

9.一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜采用權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的制備方法制得。