[發明專利]一種基于多層結構的THz導波調控裝置

有效

• 申請號: 202011117635.1
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112490602B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 韓天成;鄧龍江;陳海燕;汪曉光;梁迪飛;謝建良
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01P1/04
• 分類號: H01P1/04;H01P3/16
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 閆樹平

1.一種基于多層結構的THz導波調控裝置，其特征在于：包括兩個相同的傳輸THz波的平板介質波導，以及設置于其間的轉換結構；

所述轉換結構的截面以及端面均與兩個平板介質波導的截面和端面大小相適應，實現兩個平板介質波導間的波導互聯；轉換結構中通過填充等間距排列且互相平行的高阻硅片，高阻硅片之間是空氣，各高阻硅片與平板介質波導傳輸方向成夾角，實現THz波在平板介質波導非直線互聯情況下的無干擾傳輸；其中，平板介質波導為相對介電常數2.34的高密度聚乙烯，高阻硅的相對介電常數為11.9，高阻硅片厚度為0.1mm。

2.如權利要求1所述基于多層結構的THz導波調控裝置，其特征在于：所述平板介質波導非直線互聯情況分為平移傳輸、繞行傳輸以及彎曲傳輸。

3.如權利要求1所述基于多層結構的THz導波調控裝置，其特征在于：

當兩個平板介質波導處于不同平面需要進行平移傳輸互聯時，所述轉換結構在傳輸方向的剖面為一個平行四邊形，該平行四邊形范圍的連接區域填充的是等間距排列的高阻硅片，各高阻硅片與平板介質波導傳輸方向的夾角為52.8°，高阻硅片間的間距為0.255mm；

平移傳輸時：平板介質波導厚度為1.8mm，長度為3mm，水平方向相距3.5mm，垂直方向相距1.96mm對應平移高度。

4.如權利要求1所述基于多層結構的THz導波調控裝置，其特征在于：

當兩個平板介質波導處于同一平面內需要進行繞行傳輸互聯時，所述轉換結構在傳輸方向的剖面為兩個互成鏡像的平行四邊形，該平行四邊形范圍的連接區域填充的是等間距排列的高阻硅片，各高阻硅片與平板介質波導傳輸方向的夾角為52.8°，高阻硅片間的間距為0.255mm；兩個平行四邊形相對兩個平板介質波導所處平面抬高構成的三角形凸起區域為需要繞行的障礙物所處區域；

繞行傳輸時：平板介質波導厚度為1.8mm，長度為3mm，水平方向相距7mm；三角形凸起區域的高度為1.96mm。

5.如權利要求1所述基于多層結構的THz導波調控裝置，其特征在于：

當兩個平板介質波導有夾角需要進行彎曲傳輸互聯時，所述轉換結構在傳輸方向的剖面為兩個互成鏡像的三角形，該三角形范圍的連接區域填充的是等間距排列的高阻硅片，各高阻硅片與平板介質波導傳輸方向的夾角為5.1°，高阻硅片間的間距為0.246mm；

彎曲傳輸時，平板介質波導厚度為1.8mm，彎曲傳輸角度的夾角為120°。