[發(fā)明專利]一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011117200.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112259383B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方信賢;戴玉明;巴志新;王章忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01G11/86 | 分類號(hào)： | H01G11/86;H01G11/30 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 張歡歡 |
| 地址： | 211167 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鉬酸 復(fù)合 電極 原位 制備 方法 | ||
1.一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，包括以下過程：
將導(dǎo)電基體放在鎳銅磷鍍液中進(jìn)行化學(xué)鍍，得到表面包覆有非晶鎳銅磷鍍層的集流體；
將包覆鎳銅磷鍍層的集流體放入鉬酸鹽溶液中加熱，得到包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極，所述非晶鎳銅磷鍍層中鎳銅的原子百分濃度比為1~1.1:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，導(dǎo)電基體為純鐵片、純鋁片或純銅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，將導(dǎo)電基體進(jìn)行化學(xué)鍍之前，對(duì)導(dǎo)電基體進(jìn)行除油和活化處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，加熱處理時(shí)，加熱到30~120℃保溫20~60min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，所述鉬酸鹽溶液由200mL/L強(qiáng)酸、40~80g/L鉬酸鹽和800mL/L的水配制而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，強(qiáng)酸為鹽酸或硫酸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種包覆鉬酸鎳銅復(fù)合膜的電極原位制備方法，其特征是，鉬酸鹽為鉬酸銨或鉬酸鈉。
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