[發(fā)明專利]一種制備分析融合樣品的方法和容器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011117117.X | 申請日： | 2016-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN112629963A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 特雷-布蘭奇.德.容;皮埃爾.卡雷爾.霍夫邁爾;阿諾.范德.弗斯特赫伊曾;博伊恩.弗里德里希.霍恩施泰因 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾法史密斯公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/34;G01N1/40;G01N1/44;C22B11/02;B01L3/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳堯劍 |
| 地址： | 丹麥哥本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 分析 融合 樣品 方法 容器 | ||
本發(fā)明公開了一種制備分析融合樣品的方法和容器。容器包括用于接收包括收集材料和貴金屬的樣品的空腔，空腔適用于熔化樣品并氧化收集材料。空腔包括由多孔材料限定的能夠在被氧化和熔融時吸收收集材料的第一區(qū)域。空腔還包括由不能吸收熔融和氧化的收集材料的材料限定的第二區(qū)域。第二區(qū)域能夠容納一定體積的融合樣品。所述容器被設(shè)置為當(dāng)樣品已經(jīng)熔化并且由于第一區(qū)域的多孔材料的吸收而體積減小時，剩余樣品的至少一部分仍保留在第二區(qū)域中。
本申請是申請人于2016年3月4日提交的名稱為“一種制備分析融合樣品的方法和容器”的第201680014097.9號(PCT/AU2016/000069)專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及制備分析融合樣品的方法和容器。
背景技術(shù)
為了確定礦物樣品中稀有金屬或貴金屬的含量，通常需要對含有稀有金屬或貴金屬的礦物樣品進(jìn)行分析。分析貴金屬礦物樣品的一種方法涉及使用光譜技術(shù)，例如激光燒蝕法或光發(fā)射光譜法。在這些方法中，在分析之前，礦物樣品首先與助熔劑熔合。樣品制備通常包括將樣品與助熔劑材料(例如極大的助熔劑材料)混合，并將所得混合物安置在坩堝中并放入爐子里加熱以便形成熔融體。大量的助焊劑材料被還原成熔融鉛，熔融鉛會收集貴金屬并沉淀到坩堝的底部。
可以采用一些方法將鉛和貴金屬從所得的礦渣中分離出來，以便形成鉛扣。然后分析鉛扣以確定分散在鉛中的貴金屬的量。可以通過使用光譜技術(shù)直接分析鉛扣來確定貴金屬的量。或者，鉛扣可以放置在灰皿中并加熱，鉛被灰皿吸收，可以使用濕化學(xué)方法對所得到的顆粒進(jìn)行稱重或分析。
上述樣品制備的問題涉及到包含在分離的鉛扣中的貴金屬經(jīng)常是不均勻分布的。由于光譜分析技術(shù)通常僅檢測小區(qū)域內(nèi)樣品中的貴金屬含量，如果貴金屬不均勻地分布在鉛扣內(nèi)，則可能會發(fā)生顯著的誤差。光譜技術(shù)基本上只能分析樣品的外表面。此外，通常貴金屬在鉛中含量太少，低于檢測底限。
發(fā)明內(nèi)容
在第一方面，本發(fā)明提供了一種制備分析樣品的容器，所述容器包括：所述容器包括：用于接收包含收集材料和貴金屬的樣品的空腔，所述空腔用于熔化樣品并氧化所述收集材料，所述空腔包括：
由多孔材料限定的能夠在被氧化和融化時吸收收集材料的第一區(qū)域；
由不能吸收熔融和氧化的收集材料的材料限定的第二區(qū)域，第二區(qū)域能夠容納一定體積的融合樣品；
其中，所述容器被設(shè)置為當(dāng)樣品已經(jīng)熔化并且由于第一區(qū)域的多孔材料的吸收而體積減小時，剩余樣品的至少一部分仍保留在第二區(qū)域中。
在整個說明書中，除非上下文另有說明，否則術(shù)語“收集材料”是指在合適的溫度下可以與貴金屬形成合金的任何物質(zhì)，從而“收集”它。例如，收集材料包括賤金屬，如鉛和銀或硫化鎳。這些術(shù)語也可以用于指氧化狀態(tài)的物質(zhì)，例如鉛和氧化鉛。
在本發(fā)明的一個具體實施方案中，所述容器的第一區(qū)域和第二區(qū)域被設(shè)置為使得收集材料被所述第一區(qū)域的多孔材料吸收，使得灰吹法時所述樣品的量減少，直到所述樣品基本上僅保留在所述第二區(qū)域，從而避免了收集材料的進(jìn)一步吸收。
本發(fā)明的實施例具有如下優(yōu)點：一旦第一區(qū)域中的收集材料被吸收并形成第二區(qū)域中的濃縮樣品，則收集材料的吸收或“灰吹法”將自動停止。
第二區(qū)域可以從第一區(qū)域的底部延伸。進(jìn)一步或替代地，第二區(qū)域可以位于第一區(qū)域下方。第二區(qū)域的體積小于第一區(qū)域。
容器可以是灰皿，并且第二區(qū)域可以完全包含在灰皿中并且從第一區(qū)域延伸。
在整個說明書中，除非上下文另有要求，否則術(shù)語“灰皿”是指包含多孔材料的容器，該多孔材料能承受約1000-1200℃量級的溫度。為了便于上下文的理解，灰皿通常用于火法精煉貴金屬的技術(shù)中。
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