[發(fā)明專利]一種用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011114622.9
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112014925B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪軍平;金夢溪;陳操;盧德海;胡朝陽
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州海光芯創(chuàng)光電科技有限公司
• 主分類號: G02B6/14
• 分類號: G02B6/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 任曉婷

1.一種用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括下包層、上包層以及波導(dǎo)層，所述波導(dǎo)層位于所述下包層和所述上包層之間，所述波導(dǎo)層包括波導(dǎo)基體和波導(dǎo)體，所述波導(dǎo)基體設(shè)置在所述下包層上，所述波導(dǎo)體設(shè)置在所述波導(dǎo)基體上，所述波導(dǎo)體具有尺寸線性縮減的漸變區(qū)段和光波導(dǎo)對接區(qū)段，且所述漸變區(qū)段的寬度及高度均線性縮減；所述波導(dǎo)體兩端中尺寸較大的一端為輸入端，所述波導(dǎo)體遠離所述輸入端的一端為輸出端；所述波導(dǎo)基體具有依次排列的第一段、第二段以及第三段，所述第一段及所述第三段頂面均為平面，且所述第一段的高度小于所述第三段的高度，所述第二段頂部為斜面，所述斜面的底端及頂端分別與所述第一段及所述第三段的頂面對接；所述波導(dǎo)體具有所述漸變區(qū)段和光波導(dǎo)對接區(qū)段，所述漸變區(qū)段位于所述第一段、所述第二段及所述第三段頂部，所述光波導(dǎo)對接區(qū)段位于所述第三段頂部。

2.如權(quán)利要求1所述的用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述漸變區(qū)段從所述輸入端至所述輸出端方向依次具有第一對接段、過渡段、第二對接段，所述第一對接段位于所述第一段頂部，所述過渡段位于所述第二段頂部，所述第二對接段位于所述第三段頂部，所述第二對接段與所述光波導(dǎo)對接區(qū)段對接。

3.如權(quán)利要求2所述的用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述漸變區(qū)段從所述輸入端至所述輸出端方向水平方向尺寸逐漸減小，所述過渡段從所述輸入端至所述輸出端方向垂直方向尺寸逐漸減小。

4.如權(quán)利要求1所述的用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述波導(dǎo)體頂面為平面。

5.如權(quán)利要求1所述的用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述光波導(dǎo)對接區(qū)段為長方體結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的用于硅光芯片的模斑轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述波導(dǎo)體的側(cè)壁采用濕法腐蝕的方法處理改善粗糙度。