[發明專利]用于目標檢測的集成芯片和電子裝置在審
| 申請號: | 202011114463.2 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112068147A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 李同輝;曹睿;金里;蔣平;劉祖文;馮俊波;郭進 | 申請(專利權)人: | 聯合微電子中心有限責任公司 |
| 主分類號: | G01S17/34 | 分類號: | G01S17/34;G01S17/58;G01S7/4913;G01S7/481 |
| 代理公司: | 北京市漢坤律師事務所 11602 | 代理人: | 初媛媛;吳麗麗 |
| 地址: | 401332 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 目標 檢測 集成 芯片 電子 裝置 | ||
1.一種用于目標檢測的集成芯片,包括:
測量光接收單元,所述測量光接收單元用于將從所述目標反射的測量光耦合進所述集成芯片,并且包括微透鏡和納米天線;
耦合器單元,所述耦合器單元用于對參考光和所述測量光進行混頻,并輸出第一耦合光信號和第二耦合光信號;
平衡光電探測器單元,所述平衡光電探測器單元用于將所述第一耦合光信號和第二耦合光信號進行光電轉換以輸出電信號,所述電信號用于確定所述目標的信息;以及
光波導,所述光波導用于將所述測量光接收單元連接至所述耦合器單元,并將所述耦合器單元連接至所述平衡光電探測器單元。
2.如權利要求1所述的集成芯片,其中,
所述微透鏡位于所述納米天線的上方,并且
其中,所述測量光通過所述微透鏡后進入所述納米天線,并經由所述納米天線進入所述光波導。
3.如權利要求1所述的集成芯片,其中,
所述耦合器單元包括2×2耦合器,所述2×2耦合器用于將所述參考光和所述測量光進行混頻,使得輸出的所述第一耦合光信號和所述第二耦合光信號等幅,且所述第一耦合光信號和所述第二耦合光信號之間具有預定的相移。
4.如權利要求1所述的集成芯片,其中,
所述平衡光電探測器單元包括參數一致的第一光電探測器和第二光電探測器以及電連接至所述第一光電探測器和第二光電探測器的多個外接電極,并且,
其中,所述第一光電探測器和第二光電探測器基于相同的工藝形成,且在空間上相鄰設置。
5.如權利要求1所述的集成芯片,還包括:偏振分束器單元,所述偏振分束器單元包括第一偏振分束器和第二偏振分束器,
其中,所述第一偏振分束器用于將所述測量光分成偏振態正交的第一偏振光和第二偏振光,并將所述第一偏振光和第二偏振光中的一個輸入至所述耦合器單元,
其中,所述第二偏振分束器用于將所述參考光分成偏振態正交的第三偏振光和第四偏振光,并將所述第三偏振光和第四偏振光中的一個輸入至所述耦合器單元,并且
其中,所述第一偏振光和第二偏振光中的所述一個的偏振態與所述第三偏振光和第四偏振光中的所述一個的偏振態相同。
6.如權利要求5所述的集成芯片,其中,
所述光波導還用于將所述偏振分束器單元連接至所述測量光接收單元和所述耦合器單元。
7.如權利要求1所述的集成芯片,還包括:
參考光接收單元,所述參考光接收單元用于將所述參考光耦合進所述集成芯片。
8.如權利要求1-7中任一項所述的集成芯片,其中,所述測量光接收單元、所述耦合器單元、所述平衡光電探測器單元和所述光波導形成在絕緣體上硅SOI襯底上并且由硅基工藝形成。
9.一種電子裝置,包括如權利要求1~8中任一項所述的集成芯片。
10.如權利要求9所述的電子裝置,其中所述電子裝置為激光雷達。
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