[發明專利]一種晶圓中心的校正方法及系統

有效

• 申請號: 202011114387.5
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN111933557B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 王振擇;林政緯;楊智強
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 郭明

1.一種晶圓中心的校正系統，其特征在于，包括：

機臺本體；

反應腔，位于所述機臺本體內；

真空泵，與所述反應腔連接；

吸附設備，位于所述反應腔內，所述吸附設備包括一靜電吸盤，所述靜電吸盤上具有圖案，所述靜電吸盤上形成有一層高分子薄膜，所述高分子薄膜覆蓋所述圖案；

測試控片，用于粘結所述高分子薄膜，以獲取所述圖案，所述高分子薄膜上轉印有所述圖案；

傳輸設備，與所述機臺本體連接，用于將所述測試控片送入或送出所述反應腔；

光學掃描設備，與所述傳輸設備連接，所述光學掃描設備用于顯示所述圖案的分布情況；

偏移量計算器，與所述光學掃描設備連接，所述偏移量計算器用于根據所述分布情況，確定所述圖案的中心與所述測試控片中心的偏移量；

偏移量校正器，位于所述機臺本體內，且與所述偏移量計算器連接，所述偏移量校正器用于根據所述偏移量，通過調整所述機臺本體上的機械懸臂的位置，來校正所述圖案的中心與另一所述測試控片的中心重合。

2.根據權利要求1所述的校正系統，其特征在于，所述圖案的中心與所述靜電吸盤的中心重合，且所述圖案環形分布于所述靜電吸盤上。

3.根據權利要求1所述的校正系統，其特征在于，所述測試控片包括：

晶圓本體；

氧化硅層，形成于所述晶圓本體上；

在所述氧化硅層上，粘結有所述高分子薄膜。

4.根據權利要求1所述的校正系統，其特征在于，所述靜電吸盤上具有三個孔洞，所述三個孔洞之間呈三角形排列。

5.根據權利要求4所述的校正系統，其特征在于，所述校正系統還包括三個升降支柱，所述三個升降支柱分別連接所述三個孔洞。

6.根據權利要求1所述的校正系統，其特征在于，所述高分子薄膜的區域覆蓋面積大于所述靜電吸盤上的圖案所在的區域面積。

7.根據權利要求1所述的校正系統，其特征在于，所述高分子薄膜的沉積氣體包括多種等離子氣體。

8.一種晶圓中心的校正方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

提供權利要求1-7任意一項所述的校正系統；

通過所述真空泵抽取所述反應腔，使得所述反應腔內處于真空狀態；

形成所述高分子薄膜于所述靜電吸盤上，所述靜電吸盤上具有圖案，所述高分子薄膜覆蓋所述圖案；

通過所述測試控片粘結所述高分子薄膜，以獲取所述圖案，所述高分子薄膜上轉印有所述圖案；

通過所述傳輸設備，將所述測試控片送入或送出所述反應腔；

通過所述光學掃描設備，顯示所述圖案的分布情況；

根據所述分布情況，通過所述偏移量計算器，確定所述圖案的中心與所述測試控片中心的偏移量；

根據所述偏移量，通過所述偏移量校正器調整所述機臺本體上的機械懸臂的位置，來校正所述圖案的中心與另一所述測試控片的中心重合。

9.根據權利要求8所述的校正方法，其特征在于，在將所述測試控片送入或送出所述反應腔的過程中，所述傳輸設備處于真空狀態。

10.根據權利要求8所述的校正方法，其特征在于，在通過所述測試控片粘結所述高分子薄膜的過程中，使所述測試控片的平坦面接觸所述靜電吸盤。