[發(fā)明專利]5G通信模塊及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011112558.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112259464A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯新飛;崔文杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 濟(jì)南南知信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/50;H01L23/552;H01L23/64;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人: | 葉宇 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)南市歷*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通信 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種5G通信模塊的制造方法,其包括以下步驟:
(1)形成一模塑組件,所述模塑組件包括多個(gè)芯片和包封所述多個(gè)芯片的模塑體,所述模塑體的第一表面露出所述多個(gè)芯片的有源面和焊盤(pán);
(2)在所述多個(gè)芯片的所述焊盤(pán)上形成多個(gè)凸柱;
(3)提供一復(fù)合膜,所述復(fù)合膜包括樹(shù)脂磁屏蔽層和金屬箔層,并將所述復(fù)合膜壓合至所述第一表面,以使得所述多個(gè)凸柱嵌入所述樹(shù)脂磁屏蔽層內(nèi),且使得所述金屬箔層具有對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)凸柱的多個(gè)凸起部;
(4)研磨所述復(fù)合膜以去除部分所述凸起部,使得所述多個(gè)凸柱的頂面露出并且與所述金屬箔層絕緣;
(5)在所述金屬箔層上形成第一介電層,并在所述第一介電層中形成多個(gè)第一通孔,在所述第一介電層上形成導(dǎo)電圖案,所述導(dǎo)電圖案通過(guò)所述多個(gè)第一通孔和多個(gè)凸柱電連接至所述多個(gè)芯片;
(6)在所述第一介電層上形成第二介電層,并在所述第二介電層中或者在所述第二介電層上形成電連接所述導(dǎo)電圖案的天線結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通信模塊的制造方法,其特征在于:所述金屬箔層包括位于所述多個(gè)芯片的中間區(qū)域之上的第一部分,所述導(dǎo)電圖案包括位于所述中間區(qū)域之上的第二部分,所述第一部分和第二部分正對(duì)設(shè)置以形成位于多個(gè)芯片正上方的電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通信模塊的制造方法,其特征在于:在步驟(1)中,形成一模塑組件具體包括:提供一臨時(shí)載板,所述臨時(shí)載板上設(shè)置有粘合層;將所述多個(gè)芯片的有源面粘合至所述粘合層上,并用所述模塑體密封所述多個(gè)芯片;移除所述臨時(shí)載板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通信模塊的制造方法,其特征在于:所述多個(gè)凸柱包括直接接合所述焊盤(pán)的銅柱以及位于所述銅柱之上的金屬保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通信模塊的制造方法,其特征在于:在步驟(4)中,研磨所述復(fù)合膜以去除部分所述凸起部具體包括:研磨所述復(fù)合膜直至去除所述金屬保護(hù)層的一部分。
6.一種5G通信模塊,其由權(quán)利要求1所述的5G通信模塊的制造方法形成,具體包括:
多個(gè)芯片,所述多個(gè)芯片的有源面具有焊盤(pán);
塑封體,密封所述多個(gè)芯片且具有露出所述多個(gè)芯片的有源面的第一表面;
多個(gè)凸柱,接合于所述焊盤(pán)上;
復(fù)合膜,包括樹(shù)脂磁屏蔽層和金屬箔層,覆蓋所述第一表面上,所述多個(gè)凸柱嵌入所述樹(shù)脂磁屏蔽層內(nèi),且所述金屬箔層具有多個(gè)開(kāi)口,所述多個(gè)凸柱從所述多個(gè)開(kāi)口處分別露出;
第一介電層,形成于所述金屬箔層上,并在所述第一介電層中形成有多個(gè)第一通孔,在所述第一介電層上形成有導(dǎo)電圖案,所述導(dǎo)電圖案通過(guò)所述多個(gè)第一通孔和多個(gè)凸柱電連接至所述多個(gè)芯片;
第二介電層,形成于所述第一介電層上;
天線結(jié)構(gòu),形成于所述第二介電層中或者形成于所述第二介電層上且電連接所述導(dǎo)電圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5G通信模塊,其特征在于:所述金屬箔層包括位于所述多個(gè)芯片的中間區(qū)域之上的第一部分,所述導(dǎo)電圖案包括位于所述中間區(qū)域之上的第二部分,所述第一部分和第二部分正對(duì)設(shè)置以形成位于多個(gè)芯片正上方的電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5G通信模塊,其特征在于:所述多個(gè)凸柱包括直接接合所述焊盤(pán)的銅柱以及位于所述銅柱之上的金屬保護(hù)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5G通信模塊,其特征在于:所述第二介電層中形成有第二通孔,所述天線結(jié)構(gòu)形成于所述第二介電層上且通過(guò)所述第二通孔電連接至所述導(dǎo)電圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6任一項(xiàng)所述的5G通信模塊,其特征在于:所述第二介電層中形成有多個(gè)倒立的圓臺(tái)形開(kāi)口,所述天線結(jié)構(gòu)形成于所述圓臺(tái)形開(kāi)口內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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