[發明專利]發光器件、顯示基板

在審

• 申請號: 202011112314.2
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112234150A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 孫海雁;張曉晉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;姜春咸

1.一種發光器件，其特征在于，包括陰極、陽極，以及設于陰極和陽極間的第一發光層、第二發光層，所述第一發光層位于第二發光層靠近陽極一側；其中，

所述第一發光層包括第一主體材料和第一客體材料，所述第一主體材料的空穴遷移率高于電子遷移率；

所述第二發光層包括第二主體材料和第二客體材料，所述第二主體材料的空穴遷移率高于電子遷移率；

S1(h1)S1(g1)，T1(h1)T1(g1)，S1(g1)-T1(g1)≤0.1eV；

S1(h2)S1(g2)，T1(h2)T1(g2)，S1(g2)-T1(g2)≤0.1eV；

S1(h1)≥S1(h2)S1(g1)S1(g2)，T1(h1)≥T1(h2)T1(g1)T1(g2)；

其中T1表示三線態激發能量，S1表示單線態激發能量，h1表示第一主體材料，h2表示第二主體材料，g1表示第一客體材料，g2表示第二客體材料；

所述第二客體材料為熱活化延遲熒光材料；

所述第一發光層的發射光譜所覆蓋區域中，有至少40％的面積與第二發光層的吸收光譜所覆蓋區重疊。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第二客體材料的發射光譜的半峰全寬小于或等于35nm。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述發光器件發出的光中，由所述第一客體材料發出的光的能量的占比小于20％。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第一發光層中，所述第一主體材料的質量百分含量在60％至95％之間，所述第一客體材料的質量百分含量在5％至40％之間。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第二發光層中，所述第二主體材料的質量百分含量在70％至99％之間，所述第二客體材料的質量百分含量在1％至30％之間。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第一主體材料、第一客體材料、第二主體材料中的至少一者為熱活化延遲熒光材料。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第一主體材料和第二主體材料為相同的材料。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第一發光層的厚度在5nm至15nm之間。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，

所述第二發光層的厚度在1nm至20nm之間。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述發光器件還包括以下結構的至少一種：

空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層、電子阻擋層、覆蓋層、封裝層。