[發(fā)明專利]太陽電池及生產(chǎn)方法、電池組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011112231.3
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112310232B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李華;劉繼宇
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

1.一種太陽電池，其特征在于，包括：

硅基底；

以及電極接觸結(jié)構(gòu)，位于所述硅基底上；

所述電極接觸結(jié)構(gòu)包括：界面鈍化層、低功函數(shù)金屬層、以及金屬電極；

在所述電極接觸結(jié)構(gòu)中，所述界面鈍化層靠近所述硅基底設(shè)置；所述低功函數(shù)金屬層層疊在所述界面鈍化層上，所述金屬電極設(shè)置在所述低功函數(shù)金屬層上；

所述界面鈍化層的材料包括金屬氧化物；所述界面鈍化層具有電子選擇性；

所述金屬氧化物中含有第一金屬，所述低功函數(shù)金屬層中含有第二金屬，所述第二金屬的活動性大于所述第一金屬的活動性；

其中，所述電極接觸結(jié)構(gòu)還包括：位于所述界面鈍化層和所述低功函數(shù)金屬層之間的隧穿層，所述隧穿層的材料選自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅或非晶硅的至少一種；

其中，所述界面鈍化層的材料選自氧化鈮、氧化鉭、氧化鎵、氧化鋅、氧化銫中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述界面鈍化層的厚度為1nm-20nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述第二金屬選自鈣、鎂、鋇、銫、鍶、釔、鈰、釤、銪、釹、釷、釓、鉿、镥、鑭或鈦中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述界面鈍化層覆蓋所述硅基底的整個表面；

或，所述界面鈍化層覆蓋所述硅基底的部分表面；

所述表面為所述硅基底的向光面或背光面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池，其特征在于，所述硅基底的部分表面的面積，占所述硅基底的整個表面的面積的比例小于或等于10％；

在所述界面鈍化層覆蓋所述硅基底的整個表面的情況下，所述界面鈍化層的厚度為5nm-20nm；

在所述界面鈍化層覆蓋所述硅基底的部分表面的情況下，所述界面鈍化層的厚度為1nm-10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述隧穿層的厚度為0.5nm-3nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池還包括：位于所述硅基底和所述界面鈍化層之間的第一鈍化層；所述第一鈍化層的材料選自氧化硅、氧化鈦、氧化鋁、氫化非晶硅中的至少一種；所述第一鈍化層的厚度為1nm-2nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池還包括空穴選擇層；

所述空穴選擇層和所述界面鈍化層，分別位于所述硅基底的向光面和背光面；

或，所述界面鈍化層和所述空穴選擇層，分別位于所述硅基底的背光面的第一區(qū)域和第二區(qū)域。

9.一種太陽電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供硅基底；

在所述硅基底上設(shè)置界面鈍化層；所述界面鈍化層的材料包括金屬氧化物；所述金屬氧化物中含有第一金屬；所述界面鈍化層具有電子選擇性；

在所述界面鈍化層上設(shè)置低功函數(shù)金屬層；所述低功函數(shù)金屬層中含有第二金屬，所述第二金屬的活動性大于所述第一金屬的活動性；

在所述低功函數(shù)金屬層上設(shè)置金屬電極，得到電池前體；

對所述電池前體退火，所述界面鈍化層、所述低功函數(shù)金屬層、所述金屬電極在退火過程中，形成電極接觸結(jié)構(gòu)；

其中，所述太陽電池的生產(chǎn)方法還包括：

在所述界面鈍化層與所述低功函數(shù)金屬層之間設(shè)置隧穿層，所述隧穿層的材料選自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅或非晶硅的至少一種；

其中，所述界面鈍化層的材料選自氧化鈮、氧化鉭、氧化鎵、氧化鋅、氧化銫中的至少一種。

10.一種電池組件，其特征在于，包括：權(quán)利要求1-8中任一所述的太陽電池。