[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011111896.2 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112687612A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐宛萱;黃招勝;郭研究;鄭宇利;陳雅慈;楊能杰;周俊利 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 謝強(qiáng);黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 半導(dǎo)體 裝置 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
在一半導(dǎo)體基板上方沉積一蝕刻停止層；
在該蝕刻停止層上方沉積一介電層；
在該蝕刻停止層上方沉積一硬遮罩層；
使用該硬遮罩層對該介電層進(jìn)行圖案化，并暴露該蝕刻停止層；
施加一第一蝕刻劑以去除該硬遮罩層；以及
施加一第二蝕刻劑以去除該蝕刻停止層的一部分，其中施加該第一蝕刻劑和施加該第二蝕刻劑是在同一蝕刻腔室中進(jìn)行。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
