[發明專利]MOS電晶體靜電保護電路與電子裝置

有效

• 申請號: 202011111682.5
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112289788B
• 公開（公告）日: 2022-01-21
• 發明（設計）人: 樸珉晧
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種MOS電晶體靜電保護電路，其特征在于，包括：

MOS電晶體；

控制單元，與所述MOS電晶體有線連接或者無線連接，用于延長流過所述MOS電晶體的預定電荷量的時間，以使得單位時間內流過所述MOS電晶體的電荷量減小，以使得加載在所述MOS電晶體上的電壓的最大值小于所述MOS電晶體的擊穿電壓；

所述控制單元包括：

第一電阻電容單元，包括第一電阻模塊和第一電容模塊，所述第一電阻模塊與所述第一電容模塊電連接；

第二電阻電容單元，包括第二電阻模塊和第二電容模塊，所述第二電阻模塊與所述第二電容模塊電連接；

邏輯門單元，分別與所述第一電阻電容單元和所述第二電阻電容單元電連接，所述邏輯門單元用于控制是否將所述第一電阻電容單元和所述第二電阻電容單元接入所述控制單元中；

所述邏輯門單元包括：

第一邏輯門模塊，具有輸入端和輸出端，所述第一邏輯門模塊的輸入端與所述第一電阻模塊電連接，所述第一邏輯門模塊的輸出端與所述MOS電晶體電連接，所述第一邏輯門模塊用于將所述第一電阻模塊的第二端的輸出信號的相位反轉180°；

第二邏輯門模塊，具有輸入端和輸出端，所述第二邏輯門模塊的輸入端與所述第二電阻模塊的電連接，所述第二邏輯門模塊的輸出端與所述MOS電晶體的柵極電連接，所述第二邏輯門模塊用于控制是否將所述第二電阻電容單元接入所述控制單元中；

所述第一邏輯門模塊為一個第一反相器，所述第二邏輯門模塊為一個第一與非門，所述第一與非門具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，所述第一與非門的第一輸入端與所述第二電阻模塊的第二端電連接，所述第一與非門的第二輸入端輸入使能信號，所述第一與非門的輸出端與所述MOS電晶體的柵極電連接，所述使能信號為脈沖信號；

所述第一邏輯門模塊包括第二反相器和第一緩沖器，所述第二反相器與所述第一緩沖器串聯，所述第二邏輯門模塊包括第二與非門與第二緩沖器，所述第二與非門與第二緩沖器串聯。

2.根據權利要求1所述的MOS電晶體靜電保護電路，其特征在于，在所述第一電阻模塊的第二端與所述第二電阻模塊的第二端連接的情況下，所述第二電阻模塊的阻值大于所述第一電阻模塊的阻值。

3.根據權利要求1所述的MOS電晶體靜電保護電路，其特征在于，所述第一電阻模塊包括一個或多個第一電阻，所述第二電阻模塊包括一個或多個第二電阻，所述第一電容模塊包括一個或多個第一電容，所述第二電容模塊包括一個或多個第二電容。

4.根據權利要求2所述的MOS電晶體靜電保護電路，其特征在于，多個所述第一電阻串聯或者并聯連接，多個所述第二電阻串聯或者并聯連接，多個所述第一電容串聯或者并聯連接，多個所述第二電容串聯或者并聯連接。

5.一種電子裝置，其特征在于，包括MOS電晶體靜電保護電路和脈沖信號發生器，所述脈沖信號發生器與所述MOS電晶體靜電保護電路電連接，所述MOS電晶體靜電保護電路為權利要求1至4中任一項所述的MOS電晶體靜電保護電路。