[發明專利]用于拋光銅膜的CMP漿料組合物和用其拋光銅膜的方法

有效

• 申請號: 202011111565.9
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112680109B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 金亨默;張根三;姜東憲;李鍾元
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;C09K3/14;C23F3/04;C23F3/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種用于銅膜的化學機械拋光漿料組合物，包括：

自極性溶劑和非極性溶劑當中選出的至少一溶劑；以及

硅烷改性的拋光顆粒，

所述硅烷由式1表示：

[式1]

在式1中，

R¹、R²以及R³各自獨立地為羥基、取代或未取代的烷氧基，或鹵素；

R⁴是取代或未取代的二價有機基團；

X¹和X²各自獨立地為氫、-(C＝O)O^-M⁺、含有至少一個-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烴基、含有至少一個-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烴基、不含-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烴基，或不含-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烴基，

M⁺是H⁺或堿金屬的一價陽離子，

X¹和X²中的至少一個是-(C＝O)O^-M⁺、含有至少一個-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烴基，或含有至少一個-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烴基。

2.根據權利要求1所述的用于銅膜的化學機械拋光漿料組合物，其中R⁴是取代或未取代的C₁到C₁₀亞烷基，且X¹和X²中的至少一個是含有至少一個-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烴基。

3.根據權利要求1所述的用于銅膜的化學機械拋光漿料組合物，其中由式1表示的所述硅烷包括自由式1-1到式1-4表示的化合物當中選出的至少一種化合物：

[式1-1]

(OC₂H₅)₃Si-CH₂CH₂CH₂-NH(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)；

[式1-2]

(OH)₃Si-CH₂CH₂CH₂-NH(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)；

[式1-3]

(OCH₃)₃Si-CH₂CH₂CH₂-N(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)₂；以及

[式1-4]

Cl₃Si-CH₂CH₂CH₂-N(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)₂，

在式1-1到式1-4中，M⁺與式1中定義的相同。

4.根據權利要求1所述的用于銅膜的化學機械拋光漿料組合物，其中所述拋光顆粒包括二氧化硅。

5.根據權利要求1所述的用于銅膜的化學機械拋光漿料組合物，其中由式1表示的所述硅烷改性的所述拋光顆粒以0.001重量％到20重量％的量存在于所述化學機械拋光漿料組合物中。