[發明專利]一種硅膠薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202011110927.2
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112194998A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 吳文彥
• 申請（專利權）人: 深圳市力達創新科技有限公司
• 主分類號: C09J7/38
• 分類號: C09J7/38;C09J7/20;C08L83/04;C08L83/05;C09D4/02;C08J5/18
• 代理公司: 東莞市科安知識產權代理事務所(普通合伙) 44284
• 代理人: 曾毓芳

1.一種硅膠薄膜，包括一硅膠基層，其特征在于，所述硅膠基層包括按質量百分比計的以下原料：

50～55％的聚硅氧烷；

40～45％的VMQ硅樹脂；

0.8～1％的鉑金催化劑；

4～6％的甲基氫聚硅氧烷；以及

0.1～0.15％的炔醇。

2.根據權利要求1所述的硅膠薄膜，其特征在于，還包括一功能涂層以及一膠粘層，所述功能涂層和所述膠粘層分別設于所述硅膠基層的正面和反面上；所述功能性涂層為自修復涂層、抗污涂層、抗指紋涂層、耐磨層、耐水解層、抗紫外線層或耐候層中的任意一種。

3.根據權利要求2所述的硅膠薄膜，其特征在于，所述自修復涂層包括按質量百分比計的以下原料：50～60％的丙烯酸酯以及40～50％的乙酸丁酯。

4.根據權利要求2或3所述的硅膠薄膜，其特征在于，所述膠粘層為第一壓敏膠層，所述第一壓敏膠層包括按質量百分比計的以下原料：

30～40％的MQ硅樹脂；

30～40％的甲苯；

20～30％的聚硅氧烷；

0.8～1％的鉑金催化劑；以及

1～2％的甲基氫聚硅氧烷。

5.根據權利要求1所述的硅膠薄膜，其特征在于，還包括一第二壓敏膠層和一第三壓敏膠層，所述第二壓敏膠層和所述第三壓敏膠層分別設于所述硅膠基層的正面和反面。

6.根據權利要求5所述的硅膠薄膜，其特征在于，所述第二壓敏膠層包括按質量百分比計的以下原料：

97～98％的聚硅氧烷；

0.8～1％的鉑金催化劑；

1～2％的甲基氫聚硅氧烷；以及

0.1～0.15％的炔醇。

7.根據權利要求5或6所述的硅膠薄膜，其特征在于，所述第三壓敏膠層包括按質量百分比計的以下原料：

30～40％的MQ硅樹脂；

30～40％的甲苯；

20～30％的聚硅氧烷；

0.8～1％的鉑金催化劑；以及

1～2％的甲基氫聚硅氧烷。

8.根據權利要求4或7所述的硅膠薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)原料混合：按硅膠基層的原料配比稱取聚硅氧烷、VMQ硅樹脂、鉑金催化劑、甲基氫聚硅氧烷以及炔醇，混合均勻；

2)加熱固化：在氟素離型膜上涂布上述原料，經過具有七節烘干區的烘箱進行加熱固化，每節烘干區的長度為3.5～4.5米，七節烘干區的溫度依次為85～95℃，115～125℃，135～145℃，145～155℃，145～155℃，115～125℃以及95～105℃；機速5～8m/min；固化后形成所述硅膠基層，并在所述硅膠基層的表面上覆上第一PET膜。