[發明專利]用于功率半導體模塊的雙層散熱結構

有效

• 申請號: 202011110769.0
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112349663B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 唐玉生;郭建文;毛先葉
• 申請（專利權）人: 正海集團有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 上海天協和誠知識產權代理事務所 31216
• 代理人: 沈國良

1.一種用于功率半導體模塊的雙層散熱結構，包括功率芯片和冷卻板，其特征在于：還包括第一覆銅陶瓷基板和第二覆銅陶瓷基板，所述功率芯片通過第一焊錫層設于所述第一覆銅陶瓷基板頂層，所述第二覆銅陶瓷基板底層通過第二焊錫層設于所述冷卻板表面，所述第一覆銅陶瓷基板與第二覆銅陶瓷基板之間通過第三焊錫層連接，所述第一覆銅陶瓷基板和第二覆銅陶瓷基板構成疊層階梯結構，并且第一覆銅陶瓷基板面積小于第二覆銅陶瓷基板面積；

所述第一覆銅陶瓷基板為疊層結構，并且從頂層至底層依次為第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層；所述第二覆銅陶瓷基板為疊層結構，并且從頂層至底層依次為第三金屬層、第二絕緣層和第四金屬層；

所述第一絕緣層和第二絕緣層為兩種導熱性能不同的絕緣材料，并且所述第一絕緣層的導熱性能優于第二絕緣層的導熱性能。

2.根據權利要求1所述的用于功率半導體模塊的雙層散熱結構，其特征在于：所述第二金屬層、第三焊錫層和第三金屬層的厚度之和分別大于第一金屬層厚度和第四金屬層厚度。

3.根據權利要求1或2所述的用于功率半導體模塊的雙層散熱結構，其特征在于：所述功率芯片為功率半導體元器件。