[發明專利]GaAs基高功率半導體激光器腔面鈍化處理方法及其鈍化液

在審

• 申請號: 202011110365.1
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112831777A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 郭林煬;馬曉輝;王麗霞;鄒永剛;周正平;鐘志超;黃華睿
• 申請（專利權）人: 揚州工業職業技術學院
• 主分類號: C23C22/05
• 分類號: C23C22/05;C23C22/78;H01S5/028
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 鄒偉紅

1.一種GaAs基高功率半導體激光器腔面鈍化液，其特征在于，將單質Se加入（NH₄）₂S溶液中攪拌均勻，配成Se的飽和溶液，然后將該飽和溶液與叔丁醇以體積比1:1配置成所述鈍化液。

2.如權利要求1所述的鈍化液，其特征在于，Se單質的純度為99.99%。

3.如權利要求1所述的鈍化液，其特征在于，硫化銨溶液的硫含量為8.5 wt%。

4.一種GaAs基高功率半導體激光器腔面鈍化處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）將所述激光器作預清洗處理；

（2）將步驟（1）所述激光器于權利要求1-3所述的鈍化液中進行鈍化處理。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟（1）中，所述的預清洗處理是指將所述激光器放入丙酮和乙醇的混合溶液進行超聲清洗后再用去離子水進行清洗。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，丙酮和乙醇的混合溶液中丙酮與乙醇的體積配比為1:1；超聲處理時間為10min以上。

7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟（2）中，鈍化處理溫度為50±5℃，時間為20±1min。