[發明專利]一種太陽能電池吸收層薄膜制造方法在審
| 申請號： | 202011110086.5 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112185806A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 徐維鍵 | 申請（專利權）人： | 江蘇佳佳新能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 徐文 |
| 地址： | 226500 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 吸收 薄膜 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池吸收層薄膜制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1、襯底的準備：將襯底依次用丙酮、酒精、去離子水浸泡、超聲清洗，并用氮氣吹干備用；
S2、采用直流磁控濺射系統，以銅鋅錫合金作為靶材進行單靶濺射，真空度為3.5×10-4Pa以上，起輝氬氣流量為40~50sccm，起輝氣壓為1.0~1.5Pa，濺射功率為10~50W，工作氣壓為 0.2~1.2Pa，將銅、鋅、錫三種元素沉積于所述襯底表面，以形成銅鋅錫前驅體；
S3、將硫元素沉積于所述銅鋅錫前驅體表面，形成堆疊式銅鋅錫硫前驅體；
S4、將堆疊式銅鋅錫硫前驅體置于真空環境中，并通入由保護氣體和硫化氫氣體組成的混合氣體，其中，所述硫化氫氣體的濃度為 1%-5%；
S5、將上述堆疊式銅鋅錫硫前驅體以5-10℃/min的升溫速率從室溫升溫至200-300℃，并保溫20-30min；
S6、以2-3℃/min的升溫速率升溫經步驟S5后的反應物至500-600℃，并保溫20-30min；
S7、以5-10℃/min的升溫速率升溫經步驟S6后的反應物至600-650℃，并保溫15-20min后自然冷卻至室溫，得到銅鋅錫硫太陽能電池吸收層薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池吸收層薄膜制造方法，其特征在于：所述的銅鋅錫合金中銅鋅錫的原子比為 3-5:2-4:2-4。
3.根據權利要求1所述的一種太陽能電池吸收層薄膜制造方法，其特征在于：所述襯底為具有金屬基背電極的玻璃、不銹鋼、硅片、塑料、聚合物或金屬襯底，所述的金屬基背電極為鉬、金、鉑、銀、鈦、鋁、 銅、鎢或鎳。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
