[發明專利]銠納米立方體的可控制備方法及其對半導體進行紫外激光修飾的方法在審
| 申請號： | 202011109842.2 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112222422A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 徐海英;繆長宗;姜明明;闞彩俠 | 申請（專利權）人： | 南京工程學院 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/00;C09K11/78;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京燦爛知識產權代理有限公司 32356 | 代理人： | 趙麗 |
| 地址： | 211167 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 立方體 可控 制備 方法 及其 對半 導體 進行 紫外 激光 修飾 | ||
1.銠納米立方體的可控制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S01，制備溴化鉀濃度為0.15～0.25mol/L的乙二醇溶液，在155～165℃油浴中高溫加熱40～120min；
S02，制備RhCl3溶液和PVP溶液，溶劑為乙二醇，RhCl3溶液和PVP溶液的摩爾比為1：5；
S03，向S01中滴加2～20mL的RhCl3溶液和PVP溶液，滴加速率為1～1.2mL/h，滴加過程中伴隨磁力攪拌；
S04，滴加完畢后停止加熱，自然冷卻至室溫，依次用丙酮和酒精分離并清洗多次，即得到不同邊長的銠納米立方體樣品，即RhNCs，其吸收光譜在270～400nm紫外區間可調。
2.根據權利要求1所述的銠納米立方體的可控制備方法，其特征在于：所述RhCl3溶液和PVP溶液的濃度分別為0.02mol/L和0.1mol/L。
3.根據權利要求1所述的銠納米立方體的可控制備方法，其特征在于：所述RhCl3溶液和PVP溶液的滴加速度相同且同步滴加。
4.采用權利要求1～3任意一項所述的銠納米立方體的可控制備方法制備的銠納米立方體對半導體進行紫外激光修飾的方法，其特征在于：包括以下步驟：將S04中得到的邊長為26～50nm，對應的吸收光譜為270～400nm的RhNCs旋涂到單根ZnO微米線上，構筑單根Rh@ZnO微米線復合結構。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：所述RhNCs的邊長為42nm，對應的吸收光譜為380nm。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：在光學顯微鏡下操作，首先選取一根結晶質量完好的ZnO微米線，然后將LSPR吸收峰為270～400nm的RhNCs旋涂在單根ZnO微米線表面，放置在100～120℃烘箱中加熱1～2h，使RhNCs和ZnO微米線充分結合。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述RhNCs的濃度為0.1～0.2g/mL。
8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：所述RhNCs和/或所述單根Rh@ZnO微米線復合結構在紫外發光二極管、激光器和光電探測器中的應用。
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