[發明專利]芯殼量子點、其制造方法、量子點群、量子點復合物、量子點組合物和顯示器件

在審

• 申請號: 202011109701.0
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112680211A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 金善英;權秀暻;金龍郁;金智榮;閔智玄;黃成宇;張銀珠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L27/32;H01L51/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.芯殼量子點，包括：

包括第一半導體納米晶體的芯，所述第一半導體納米晶體包括鋅、碲、和硒；和

設置在所述芯上的半導體納米晶體殼，所述半導體納米晶體殼包括

鋅；以及

硒、硫、或其組合，

其中所述芯殼量子點不包括鎘、鉛、汞、或其組合，

其中所述芯殼量子點進一步包括氯，

其中在所述芯殼量子點中，氯相對于碲的摩爾比大于或等于0.01:1，和

其中所述芯殼量子點的量子效率大于或等于10％。

2.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中在所述芯殼量子點中，碲相對于硒的摩爾比大于0.4:1。

3.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中在所述芯殼量子點中，碲相對于硒的摩爾比小于或等于4:1。

4.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中在所述芯殼量子點中，氯相對于碲的摩爾比大于或等于0.05:1。

5.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯不包括包含銦或鎵的III-V族化合物。

6.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯殼量子點進一步包括鋁、鎵、鋰、氟、或其組合。

7.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述第一半導體納米晶體包括ZnTe_xSe_1-x，其中x大于或等于0.4且小于或等于0.9。

8.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述半導體納米晶體殼包括硒和硫，并且硫相對于硒的摩爾比大于0:1且小于或等于4:1。

9.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯殼量子點的最大發光峰波長在大于470納米且小于或等于600納米的范圍內。

10.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯殼量子點的最大光致發光峰具有小于或等于40納米的半寬度。

11.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯殼量子點的量子效率大于或等于20％。

12.如權利要求1所述的芯殼量子點，其中所述芯殼量子點包括有機配體，并且所述有機配體包括RCOOH、RNH₂、R₂NH、R₃N、RSH、RH₂PO、R₂HPO、R₃PO、RH₂P、R₂HP、R₃P、ROH、RCOOR'、RHPO(OH)、RPO(OH)₂、R₂POOH、聚合物有機配體、或其組合，其中R和R'相同或不同并且各自獨立地為取代或未取代的C1-C40脂族烴基團、取代或未取代的C6-C40芳族烴基團、或其組合。

13.量子點群，包括多個如權利要求1-12任一項所述的芯殼量子點，

其中多個所述芯殼量子點的平均圓度大于或等于0.70；或

其中多個所述芯殼量子點的平均實度大于或等于0.8。

14.如權利要求13所述的量子點群，其中多個所述芯殼量子點的平均尺寸大于或等于7納米。