[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

在審

• 申請號: 202011109697.8
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112750721A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 鄭暎大;金源根;李智暎;鄭智訓;金泰信;高定奭;崔成彬;延蕊林
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;玉昌峰

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

基板支承單元；

藥液供應單元，用于將藥液供應于被所述基板支承單元支承的基板上面；

激光照射單元，用于將激光照射于所述基板而加熱所述基板；以及

控制部，控制成所述激光照射單元照射激光脈沖，從而反復加熱及冷卻所述基板。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還包括用于測定基板溫度的溫度測定部件，

所述控制部基于所述溫度測定部件測定到的溫度來控制所述激光照射單元。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部基于所述溫度測定部件測定到的溫度來調節激光脈沖的占空比。

4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部基于所述測定到的溫度與基準溫度的差異控制成使激光脈沖的占空比連續變化。

5.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部基于所述溫度測定部件測定到的溫度來調節激光脈沖的強度。

6.根據權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部基于所述測定到的溫度與基準溫度的差異控制成使激光脈沖的強度連續變化。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述激光照射單元配置于所述基板的下方并構成為向所述基板的背面照射激光。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述激光脈沖是激光被開/關的形式，或者是激光以第一強度和第二強度周期性反復的形式。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板包括氧化硅膜和氮化硅膜交替層疊的疊層結構，

所述藥液是用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液。

10.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板支承單元以能夠旋轉的方式支承基板。

11.一種基板處理方法，其特征在于，包括：

將藥液供應于基板的步驟；

將所述基板加熱到設定溫度的步驟；以及

將激光脈沖照射于所述基板而反復加熱及冷卻所述基板并進行基板處理工藝的步驟。

12.根據權利要求11所述的基板處理方法，其特征在于，

所述基板處理方法還包括測定基板的溫度并基于測定到的溫度控制所述激光脈沖的步驟。

13.根據權利要求12所述的基板處理方法，其特征在于，

控制所述激光脈沖的步驟基于所述測定到的溫度來調節激光脈沖的占空比。

14.根據權利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，

基于所述測定到的溫度與基準溫度的差異來使激光脈沖的占空比連續變化。

15.根據權利要求12所述的基板處理方法，其特征在于，

控制所述激光脈沖的步驟基于所述測定到的溫度來調節激光脈沖的強度。

16.根據權利要求15所述的基板處理方法，其特征在于，

基于所述測定到的溫度與基準溫度的差異來使激光脈沖的強度連續變化。

17.根據權利要求11所述的基板處理方法，其特征在于，

將藥液供應于所述基板的步驟是將藥液供應至在基板的上面形成預定厚度的液膜之后中斷供應藥液的步驟。