[發明專利]蝕刻設備

有效

• 申請號: 202011109694.4
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112289962B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 許明
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00;C23F1/08
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本申請公開了一種蝕刻設備，包括：蝕刻液供給源，包括一第一儲液槽、一第二儲液槽，及設置于第一儲液槽與第二儲液槽之間的離子濃度調節裝置，第一儲液槽容置有金屬離子蝕刻液；噴淋裝置，與所述蝕刻液供給源的第一儲液槽連通，以對至少一目標噴淋金屬離子蝕刻液；供液管路，用于流體連接噴淋裝置與蝕刻液供給源的第一儲液槽；其中，離子濃度調節裝置產生電子以調節金屬離子蝕刻液中金屬離子的濃度。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種蝕刻設備。

背景技術

目前OLED的陽極為ITO/Ag/ITO的層疊結構，蝕刻工藝一般采用蝕刻液對陽極的銀膜層進行蝕刻，隨著蝕刻的片數的增加，蝕刻液中銀離子含量逐漸升高，銀離子活性較高，濃度過高時容易再析出成銀顆粒，殘留在產品上，影響產品良率；因此，需要嚴格控制蝕刻液中銀離子的濃度，目前主要的控制方法是管控蝕刻液的壽命，通常蝕刻液壽命僅24小時，就需要更換新的蝕刻液來控制銀離子的濃度，導致蝕刻液的成本很高。

因此，現需提供一種蝕刻設備。

發明內容

本申請實施例提供一種蝕刻設備，通過在蝕刻液供給源的第一儲液槽與第二儲液槽之間增設金屬鈦/鋁合金板(Ti/Al)，通過在第二儲液槽中緩慢消耗金屬Al，可以增加金屬Ti表面的電子密度，使第一儲液槽內的金屬離子蝕刻液的銀離子發生還原反應析出銀顆粒并吸附于金屬Ti的表面，達到控制金屬離子蝕刻液中銀離子含量的目的，延長金屬離子蝕刻液的使用壽命，降低金屬離子蝕刻液的成本。

本申請實施例還提供一種蝕刻設備，具有蝕刻液供給源，所述蝕刻液供給源包括一第一儲液槽、一第二儲液槽，及設置于所述第一儲液槽與所述第二儲液槽之間的離子濃度調節裝置；其中，所述第一儲液槽容置有金屬離子蝕刻液；所述離子濃度調節裝置產生電子以調節所述金屬離子蝕刻液中金屬離子的濃度。

在一些實施例中，所述離子濃度調節裝置包括層疊設置的一承載層和一氧化層，其中，所述承載層朝向所述第一儲液槽并與所述金屬離子蝕刻液接觸，所述氧化層朝向所述第二儲液槽并與容置于所述第二儲液槽內的第二離子蝕刻液接觸。

在一些實施例中，所述離子濃度調節裝置的所述氧化層在所述第二離子蝕刻液中可發生氧化反應以產生電子；所述承載層用于承載所述金屬離子蝕刻液析出的金屬顆粒。

在一些實施例中，所述第二離子蝕刻液的陽離子元素的氧化活性大于所述金屬離子蝕刻液的金屬離子元素的氧化活性。

在一些實施例中，所述氧化層的材料為金屬，所述氧化層的金屬元素與所述第二離子蝕刻液的陽離子元素是相同的。

在一些實施例中，所述離子濃度調節裝置的所述承載層為金屬鈦板，所述離子濃度調節裝置的所述氧化層為金屬鋁板。

在一些實施例中，所述蝕刻設備還包括噴淋裝置，所述噴淋裝置與所述蝕刻液供給源的所述第一儲液槽連通，以對至少一目標噴淋所述金屬離子蝕刻液。

在一些實施例中，所述刻蝕設備還包括供液管路，所述供液管路用于流體連接所述噴淋裝置與所述蝕刻液供給源的所述第一儲液槽。

在一些實施例中，所述蝕刻設備還包括一蝕刻腔室，用于進行蝕刻工藝，所述噴淋裝置設置于所述蝕刻腔室內。

在一些實施例中，所述蝕刻設備還包括一回流管路，所述回流管路流體連接所述蝕刻腔室與所述蝕刻液供給源的所述第一儲液槽。