[發(fā)明專利]一種模擬路面的方法以及模擬路面的裝置

在審

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• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112274854A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方國輝;鐘敏
• 申請（專利權(quán)）人: 方國輝
• 主分類號: A63B22/20
• 分類號: A63B22/20;E01C9/00
• 代理公司: 重慶華科專利事務(wù)所 50123
• 代理人: 何杰

1.一種模擬路面的方法，其特征在于：采用具有開口的腔室以及與腔室的開口相銜接的支撐面，采用能夠相互轉(zhuǎn)化的固態(tài)低熔點(diǎn)材料和液態(tài)低熔點(diǎn)材料，支撐面上鋪設(shè)有由固態(tài)低熔點(diǎn)材料構(gòu)成的路面層，腔室內(nèi)填充有由液態(tài)低熔點(diǎn)材料構(gòu)成的路面轉(zhuǎn)化液，路面轉(zhuǎn)化液和路面層相銜接；在路面層和路面轉(zhuǎn)化液的銜接區(qū)域靠路面層的一側(cè)進(jìn)行冷卻，以使流動(dòng)至冷卻區(qū)域的路面轉(zhuǎn)化液固化成路面層；在路面層和路面轉(zhuǎn)化液的銜接區(qū)域靠路面轉(zhuǎn)化液的一側(cè)進(jìn)行加熱，以使運(yùn)動(dòng)至加熱區(qū)域的路面層融化成路面轉(zhuǎn)化液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬路面的方法，其特征在于：固態(tài)低熔點(diǎn)材料和液態(tài)低熔點(diǎn)材料均為鎵。

3.一種模擬路面的裝置，其特征在于：包括連接在一起的底座和腔室，所述底座的頂部設(shè)有支撐面，所述腔室呈環(huán)形且環(huán)繞在所述支撐面的外圍，所述腔室的內(nèi)圈設(shè)有呈環(huán)形的開口，所述開口的下邊沿與所述支撐面平齊，所述支撐面上支撐有由固態(tài)低熔點(diǎn)材料構(gòu)成的路面層，所述路面層的邊緣均伸入所述腔室中，所述腔室內(nèi)填充有由液態(tài)低熔點(diǎn)材料構(gòu)成的路面轉(zhuǎn)化液，所述腔室外設(shè)有呈環(huán)形的加熱裝置和呈環(huán)形的冷卻裝置；所述冷卻裝置能夠?qū)λ銮皇铱拷鲩_口一側(cè)的第一環(huán)形區(qū)域進(jìn)行冷卻，以使得流至所述第一環(huán)形區(qū)域的所述路面轉(zhuǎn)化液固化成所述路面層，所述加熱裝置能夠?qū)λ銮皇疑衔挥谒龅谝画h(huán)形區(qū)域外圍的第二環(huán)形區(qū)域進(jìn)行加熱，以使得運(yùn)動(dòng)至所述第二環(huán)形區(qū)域的所述路面層融化成路面轉(zhuǎn)化液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模擬路面的裝置，其特征在于：所述腔室包括水平環(huán)狀部和位于所述水平環(huán)狀部外圍的傾斜環(huán)狀部，所述水平環(huán)狀部自所述支撐面的邊緣水平向外延伸，所述傾斜環(huán)狀部的直徑從下至上逐漸增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模擬路面的裝置，其特征在于：所述傾斜環(huán)狀部的斷面呈弧線形。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模擬路面的裝置，其特征在于：所述冷卻裝置設(shè)置在所述水平環(huán)狀部處，所述加熱裝置自所述水平環(huán)狀部延伸至所述傾斜環(huán)狀部上。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模擬路面的裝置，其特征在于：所述支撐面上嵌裝多個(gè)能夠自由轉(zhuǎn)動(dòng)的滾珠，所述滾珠與所述路面層的下表面接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模擬路面的裝置，其特征在于：所述固態(tài)低熔點(diǎn)材料和所述液態(tài)低熔點(diǎn)材料均為鎵。