[發(fā)明專利]高壓半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011108928.3 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN113380872A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 莫尼卡·巴提;韋維克;陳柏安 | 申請（專利權(quán)）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;吳學(xué)鋒 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高壓 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一半導(dǎo)體襯底，具有一第一導(dǎo)電類型；
一第一阱區(qū)和一第二阱區(qū)，設(shè)置于該半導(dǎo)體襯底上，該第一阱區(qū)和該第二阱區(qū)分別具有不同于該第一導(dǎo)電類型的一第二導(dǎo)電類型；以及
一隔離結(jié)構(gòu)，位于該第一阱區(qū)與該第二阱區(qū)之間，該隔離結(jié)構(gòu)包括：
一第一隔離阱和一第二隔離阱，設(shè)置于該半導(dǎo)體襯底上，且該第一隔離阱和該第二隔離阱具有該第一導(dǎo)電類型；
一第三隔離阱，位于該第一隔離阱與該第二隔離阱之間，且該第三隔離阱具有該第二導(dǎo)電類型；
一第一頂部摻雜區(qū)和一第二頂部摻雜區(qū)，分別位于該第一隔離阱和該第二隔離阱中，且該第一頂部摻雜區(qū)和該第二頂部摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型；以及
一第三頂部摻雜區(qū)位于該第三隔離阱中，且位于該第一頂部摻雜區(qū)和該第二頂部摻雜區(qū)之間，且該第三頂部摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電類型。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一頂部摻雜區(qū)、該第二頂部摻雜區(qū)和該第三頂部摻雜區(qū)分別具有第一深度、第二深度和第三深度，其中該第三深度大于該第一深度且大于該第二深度。
3.如權(quán)利要求2所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一深度等于該第二深度。
4.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一頂部摻雜區(qū)和該第二頂部摻雜區(qū)分別接觸該第三頂部摻雜區(qū)的兩相對側(cè)面。
5.如權(quán)利要求4所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一頂部摻雜區(qū)與該第三頂部摻雜區(qū)的界面與該第三隔離阱的一側(cè)面齊平，該第二頂部摻雜區(qū)與該第三頂部摻雜區(qū)的界面與該第三隔離阱的另一側(cè)面齊平。
6.如權(quán)利要求4所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一頂部摻雜區(qū)和該第二頂部摻雜區(qū)分別與該第一阱區(qū)和該第二阱區(qū)相隔開來，而未與該第一阱區(qū)和該第二阱區(qū)接觸。
7.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：
一埋層，位于該第三隔離阱與該半導(dǎo)體襯底的界面處并對應(yīng)該第三頂部摻雜區(qū)，且該埋層具有該第一導(dǎo)電類型。
8.如權(quán)利要求7所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該埋層在該半導(dǎo)體襯底的垂直投影與該第三頂部摻雜區(qū)在該半導(dǎo)體襯底的垂直投影重疊。
9.如權(quán)利要求7所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該埋層的相對兩側(cè)分別位于該第一隔離阱和該第二隔離阱中。
10.如權(quán)利要求7所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一隔離阱鄰近于該第一阱區(qū)設(shè)置，位于該第一隔離阱中的該第一頂部摻雜區(qū)與該第一阱區(qū)相隔一第一距離；
該第二隔離阱鄰近于該第二阱區(qū)設(shè)置，位于該第二隔離阱中的該第二頂部摻雜區(qū)與該第二阱區(qū)相隔一第二距離。
11.如權(quán)利要求10所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該埋層的相對兩側(cè)分別與該第一阱區(qū)和該第二阱區(qū)相隔一第三距離和一第四距離，其中該第三距離大于該第一距離，該第四距離大于該第二距離。
12.如權(quán)利要求1所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一隔離阱和該第二隔離阱分別具有第一寬度和第二寬度，該第一寬度等于該第二寬度；
其中該第三隔離阱具有第三寬度，該第三寬度相對于該第一寬度的比值在0.5～1.5之間的范圍。
13.如權(quán)利要求12所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一頂部摻雜區(qū)和該第二頂部摻雜區(qū)與該第三頂部摻雜區(qū)分別具有第四寬度、第五寬度和第六寬度，其中該第六寬度等于該第三寬度，其中該第四寬度小于該第一寬度，該第五寬度小于該第二寬度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
