[發明專利]一種顯示面板、顯示面板制程方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 202011108910.3 | 申請日: | 2020-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN112310176A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 唐甲;徐源竣 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供一種顯示面板、顯示面板制程方法及顯示裝置,該顯示面板包括:陣列基板、第一電極層、第一像素定義層、第二像素定義層和發光材料。第一像素定義層的厚度為0.2μm以下。第二像素定義層沿第二方向設置在第一面上,且橫跨第一像素定義層,第一方向與第二方向相交。其中,相鄰的兩個第二像素定義層之間設置有同一顏色的發光材料,且發光材料覆蓋兩個第二像素定義層之間的第一像素定義層。該顯示面板采用Line Bank結構,并對其中的第一像素定義層進行改進,減薄了第一像素定義層的厚度,改善了發光材料在相同顏色像素的鋪展性,并提高了開口率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板、顯示面板制程方法及顯示裝置。
背景技術
Line Bank結構,由行列排布的第一像素定義層(Bank1)和第二像素定義層(Bank2)構成。其中,第一像素定義層和第二像素定義層的厚度不同,Bank2厚于Bank1。第一像素定義層和第二像素定義層均為有機材料,其中Bank2為疏水性材料,Bank1為親水性材料。為了保證相同光色打印時的墨水鋪展性,流動性,Bank1的厚度最佳為0.3um以下。但Bank1有機材料的涂料(Coater)工藝無法滿足,需要coater高厚度,如1μm,再做薄化處理(一般是Dry/ash減薄),但為了保證均勻性,減薄水平有限。目前量產實績bank1厚度為0.4μm以上,引起墨水爬坡的流動性不佳,最終相同顏色像素內墨水容量有偏差。另外Bank1采用有機材料形成的寬度較寬,也對開口率有影響。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板、顯示面板制程方法及顯示裝置,能夠改善墨水在相同顏色像素的鋪展性,并提高開口率。
本申請提供一種顯示面板,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括相對設置的第一面和第二面;
第一電極層,所述第一電極層設置在所述第一面上,所述第一電極層設置有多個,且所述第一電極層與所述第一電極層之間具有間隔;
第一像素定義層,所述第一像素定義層沿第一方向設置在所述第一面上,且設置在所述間隔內,所述第一像素定義層的端部延伸至所述第一電極層遠離所述第一面的一側,所述第一像素定義層的厚度為0.2μm以下;
第二像素定義層,所述第二像素定義層沿第二方向設置在所述第一面上,且橫跨所述第一像素定義層,所述第一方向與所述第二方向相交;
發光材料,所述發光材料設置在所述第一電極層遠離所述第一面的一側;其中,相鄰的兩個所述第二像素定義層之間設置有同一顏色的發光材料,且所述發光材料覆蓋兩個所述第二像素定義層之間的所述第一像素定義層。
在一些實施例中,所述第一像素定義層延伸至所述第一電極層的水平長度為2μm以下。
在一些實施例中,所述第一像素定義層包括第一部和第二部,所述第一像素定義層延伸至所述第一電極層的部分為所述第一部,所述第一像素定義層設置在所述間隔內的部分為所述第二部,所述第一部的高度大于所述第二部的高度。
在一些實施例中,還包括第二電極層,所述第二電極層設置在所述第一像素定義層、所述第二像素定義層和所述發光材料遠離所述第一面的一側。
在一些實施例中,所述第二電極層在發光材料表面的高度高于所述第二電極層在所述第一像素定義層上的高度,且低于所述第二電極層在所述第二像素定義層上的高度。
在一些實施例中,所述第一像素定義層采用無機材料,所述第二像素定義層采用有機疏水材料。
在一些實施例中,所述第一像素定義層層的厚度小于所述第二像素定義層的厚度。
本申請提供一種顯示面板制程方法,包括:
提供一陣列基板,所述陣列基板包括相對設置的第一面和第二面;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





