[發明專利]SRAM通用測速電路

在審

• 申請號: 202011108516.X
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112185455A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 李鑫;曾永紅;晉超超;徐藝軒
• 申請（專利權）人: 天津津航計算技術研究所
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 周恒

本發明屬于SRAM存儲硬件系統技術領域，具體涉及一種SRAM通用測速電路。所述SRAM通用測速電路包括：SRAM讀操作測速模塊、SRAM寫操作測速模塊、SRAM讀寫速度綜合模塊和總線接口模塊；為了解決硬件系統在適配不同型號的SRAM時無法自動識別SRAM的最大讀寫速度而導致的無法發揮SRAM最佳性能的問題。該電路通過對SRAM讀寫速度采用特定算法進行多次試探性采樣確定SRAM的讀寫速度。該電路可以通過硬件實現模塊化并嵌入到硬件電路系統中，使系統具備自動識別SRAM讀寫速度的功能，在系統更換SRAM后不用更改系統代碼和狀態，提高了系統的兼容性、易用性和可維護性，具有十分重要的應用意義。

技術領域

本發明屬于SRAM存儲硬件系統技術領域，具體涉及一種SRAM通用測速電路。

背景技術

SRAM通用測速電路是為了解決電路系統在使用過程中需要對SRAM進行更改或者SRAM版本狀態發生變化的情況下，系統無法自動識別新的SRAM最大讀寫速度的問題。在大多數電路系統中，系統使用的SRAM是系統在硬件設計時由設計人員指定的，RAM的讀寫速度已經由設計人員完成設定，但是由于不同設計人員對于硬件系統的理解不同，在對于SRAM讀寫速度的設定上會產生差異，導致讀寫速度不合理的情況發生，存在著讀寫速度設定較低，無法發揮SRAM的最佳性能或者讀寫速度設定較高，在外界條件變化的情況下，超出了SRAM最大讀寫速度的情況，對系統造成較大的影響。

通常在更改SRAM讀寫速度后，設計人員都需要根據新的芯片配置對系統程序進行重新改寫，以適應新的SRAM的讀寫速度。這種方式相對直接，但是隨著系統版本的升級，SRAM的配置會產生多個版本的軟件，在軟件維護方面帶來了一定的困難。

因此，采用直接修改系統軟件來適配新的SRAM讀寫速度的方式存在著版本較多、難以管理的風險。需要利用一種靈活的、自動測試SRAM讀寫速度的裝置來對硬件系統中SRAM進行速度測試，并將讀寫速度參數提供給系統軟件進行更新。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何解決硬件電路系統中SRAM不能自動測試其最大讀寫速度的問題，如何提供一種SRAM通用測速電路。要求采用該電路能夠使硬件系統自動測試SRAM的最大讀寫速度，并將測試結果進行上報供系統軟件使用，避免了設計人員重新修改系統程序導致的版本混亂的風險。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供一種SRAM通用測速電路，所述SRAM通用測速電路包括：SRAM讀操作測速模塊、SRAM寫操作測速模塊、SRAM讀寫速度綜合模塊和總線接口模塊；其中，

所述SRAM讀操作測速模塊用于對SRAM的不同數據組合下的讀取速度進行測試，確認新配置的SRAM的讀操作最大速度參數矩陣并提供給SRAM讀寫速度綜合模塊；所述不同數據組合下表示：數據為全0，全1以及0、1混合的不同數據組合；

所述SRAM寫操作測速模塊用于對SRAM的不同組合下的寫入速度進行測試，確認新配置的SRAM的寫操作最大速度參數矩陣并提供給SRAM讀寫速度綜合模塊；所述不同數據組合下表示：數據為全0，全1以及0、1混合的不同數據組合；

所述SRAM讀寫速度綜合模塊用于接收SRAM讀操作測速模塊和SRAM寫操作測速模塊提供的讀操作最大速度參數矩陣和寫操作最大速度參數矩陣，并根據讀操作最大速度參數矩陣和寫操作最大速度參數矩陣合成為讀寫速度參數矩陣，通過總線接口模塊傳遞給硬件系統處理器進行處理；

所述總線接口模塊作為SRAM讀寫速度綜合模塊和外部硬件系統處理器的接口，負責數據的傳輸。

其中，所述SRAM讀操作測速模塊通過設定一個初始讀取速度，根據SRAM能否正確讀取數據來不斷調整一用于讀取速度增加或縮減的步長，直到調整的步長達到預期的步長閾值，該步長閾值情況下的讀取速度作為SRAM的讀操作最大速度；