[發(fā)明專利]電子傳輸材料、其制備方法和光電器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011107189.6
• 申請(qǐng)日: 2020-10-16
• 公開（公告）號(hào): CN114388712A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/54
• 分類號(hào): H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料具有核殼結(jié)構(gòu)，包括ZnO核以及包覆所述ZnO核的貴金屬殼層。

2.如權(quán)利要求1所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述貴金屬殼層的厚度為1納米～2納米；和/或

所述ZnO核的粒徑為4納米～8納米；和/或

所述ZnO核中摻雜有第二金屬，所述第二金屬的價(jià)態(tài)為+3～+4。

3.如權(quán)利要求2所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述第二金屬選自：錫、鈦、鐵、鋯、釔中的至少一種；和/或

在所述摻雜有第二金屬的ZnO核中，鋅元素與第二金屬元素的摩爾比為1：(0.05～0.2)。

4.如權(quán)利要求1～3任一所述的電子傳輸材料，其特征在于，在所述電子傳輸材料中，所述貴金屬殼層通過硅烷偶聯(lián)劑結(jié)合在所述ZnO核的表面；和/或

所述貴金屬殼層包括：Ag和/或Au。

5.如權(quán)利要求4所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料由所述ZnO核以及包覆所述ZnO核的所述貴金屬殼層組成；其中，所述貴金屬殼層為Ag和/或Au。

6.一種電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取氧化鋅納米材料；

獲取硅烷偶聯(lián)劑，將所述硅烷偶聯(lián)劑和所述氧化鋅納米材料溶解在第一有機(jī)溶劑中，進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)，分離得到修飾后的氧化鋅納米材料；

將所述修飾后的氧化鋅納米材料溶解在第二有機(jī)溶劑中，添加貴金屬前驅(qū)體和還原劑進(jìn)行包覆反應(yīng)，分離得到所述電子傳輸材料。

7.如權(quán)利要求6所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，獲取氧化鋅納米材料的步驟包括：將第一鋅鹽與第一堿性物質(zhì)溶解在第三有機(jī)溶劑中，在溫度為60～80℃的條件下反應(yīng)2～4小時(shí)，分離得到氧化鋅納米材料；或者

獲取氧化鋅納米材料的步驟包括：將第二鋅鹽、第二金屬鹽和第二堿性物質(zhì)溶解在第四有機(jī)溶劑中，在溫度為60～80℃的條件下反應(yīng)2～4小時(shí)，分離得到摻雜有過渡金屬第二金屬的氧化鋅納米材料；所述第二金屬的離子價(jià)態(tài)為+3～+4；和/或

所述偶聯(lián)反應(yīng)的條件包括：在溫度為20～40℃的條件下反應(yīng)6～8小時(shí)；和/或

所述包覆反應(yīng)的條件包括：在溫度為40～50℃的條件下反應(yīng)1～2小時(shí)。

8.如權(quán)利要求7所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，將所述第一鋅鹽與所述第二堿性物質(zhì)溶解在所述第三有機(jī)溶劑后的反應(yīng)體系中，pH值為12～13，所述第一鋅鹽與所述第二堿性物質(zhì)的摩爾比為1：(1.8～2.5)；和/或

將所述第二鋅鹽、所述第二金屬鹽和所述第二堿性物質(zhì)溶解在所述第四有機(jī)溶劑后的反應(yīng)體系中，pH值為12～13，所述第二鋅鹽和所述第二金屬鹽的摩爾總量與所述第二堿性物質(zhì)的摩爾量之比1：(1.8～2.5)；和/或

所述第二鋅鹽與所述第二金屬鹽的摩爾比為1：(0.05～0.2)；和/或

所述硅烷偶聯(lián)劑和所述氧化鋅納米材料的摩爾比為(1～2)：1；和/或

所述修飾后的氧化鋅納米材料、所述貴金屬前驅(qū)體和所述還原劑的摩爾比為(1～2)：1：(3～5)。