[發明專利]電子傳輸材料、其制備方法和光電器件

在審

• 申請號: 202011107189.6
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN114388712A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料具有核殼結構，包括ZnO核以及包覆所述ZnO核的貴金屬殼層。

2.如權利要求1所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述貴金屬殼層的厚度為1納米～2納米；和/或

所述ZnO核的粒徑為4納米～8納米；和/或

所述ZnO核中摻雜有第二金屬，所述第二金屬的價態為+3～+4。

3.如權利要求2所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述第二金屬選自：錫、鈦、鐵、鋯、釔中的至少一種；和/或

在所述摻雜有第二金屬的ZnO核中，鋅元素與第二金屬元素的摩爾比為1：(0.05～0.2)。

4.如權利要求1～3任一所述的電子傳輸材料，其特征在于，在所述電子傳輸材料中，所述貴金屬殼層通過硅烷偶聯劑結合在所述ZnO核的表面；和/或

所述貴金屬殼層包括：Ag和/或Au。

5.如權利要求4所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料由所述ZnO核以及包覆所述ZnO核的所述貴金屬殼層組成；其中，所述貴金屬殼層為Ag和/或Au。

6.一種電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取氧化鋅納米材料；

獲取硅烷偶聯劑，將所述硅烷偶聯劑和所述氧化鋅納米材料溶解在第一有機溶劑中，進行偶聯反應，分離得到修飾后的氧化鋅納米材料；

將所述修飾后的氧化鋅納米材料溶解在第二有機溶劑中，添加貴金屬前驅體和還原劑進行包覆反應，分離得到所述電子傳輸材料。

7.如權利要求6所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，獲取氧化鋅納米材料的步驟包括：將第一鋅鹽與第一堿性物質溶解在第三有機溶劑中，在溫度為60～80℃的條件下反應2～4小時，分離得到氧化鋅納米材料；或者

獲取氧化鋅納米材料的步驟包括：將第二鋅鹽、第二金屬鹽和第二堿性物質溶解在第四有機溶劑中，在溫度為60～80℃的條件下反應2～4小時，分離得到摻雜有過渡金屬第二金屬的氧化鋅納米材料；所述第二金屬的離子價態為+3～+4；和/或

所述偶聯反應的條件包括：在溫度為20～40℃的條件下反應6～8小時；和/或

所述包覆反應的條件包括：在溫度為40～50℃的條件下反應1～2小時。

8.如權利要求7所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，將所述第一鋅鹽與所述第二堿性物質溶解在所述第三有機溶劑后的反應體系中，pH值為12～13，所述第一鋅鹽與所述第二堿性物質的摩爾比為1：(1.8～2.5)；和/或

將所述第二鋅鹽、所述第二金屬鹽和所述第二堿性物質溶解在所述第四有機溶劑后的反應體系中，pH值為12～13，所述第二鋅鹽和所述第二金屬鹽的摩爾總量與所述第二堿性物質的摩爾量之比1：(1.8～2.5)；和/或

所述第二鋅鹽與所述第二金屬鹽的摩爾比為1：(0.05～0.2)；和/或

所述硅烷偶聯劑和所述氧化鋅納米材料的摩爾比為(1～2)：1；和/或

所述修飾后的氧化鋅納米材料、所述貴金屬前驅體和所述還原劑的摩爾比為(1～2)：1：(3～5)。