[發(fā)明專利]一種鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法及鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011106942.X
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112269225B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹志軍;崔國新;葉志霖;許志城
• 申請（專利權(quán)）人: 南京南智先進(jìn)光電集成技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號: G02B6/136
• 分類號: G02B6/136;G02B6/138;G02B6/122
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述濕法刻蝕方法包括：

獲取待刻蝕的鈮酸鋰薄膜樣品；所述鈮酸鋰薄膜樣品包括鈮酸鋰層、二氧化硅層、金屬層以及基底；

在所述鈮酸鋰層的表面正疇區(qū)域按照預(yù)設(shè)刻蝕形狀制備金屬掩膜，得到具備所述金屬掩膜的待極化鈮酸鋰薄膜樣品；

將所述待極化鈮酸鋰薄膜樣品接入預(yù)設(shè)的極化電路，并設(shè)置所述極化電路的輸入電壓，使所述金屬掩膜覆蓋區(qū)域的鈮酸鋰進(jìn)行疇翻轉(zhuǎn)，得到中間樣品；

利用預(yù)設(shè)夾具固定所述中間樣品，所述夾具包括支撐底座和固定在所述支撐底座上的緊包層，其中，所述緊包層用于包裹所述中間樣品中鈮酸鋰層的側(cè)面；

去除所述中間樣品中的所述金屬掩膜，得到待刻蝕的目標(biāo)樣品；

利用預(yù)設(shè)刻蝕溶液對所述目標(biāo)樣品中鈮酸鋰層的表面區(qū)域進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)長的刻蝕，得到濕法刻蝕后的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述在所述鈮酸鋰層的表面正疇區(qū)域按照預(yù)設(shè)刻蝕形狀制備金屬掩膜，得到具備所述金屬掩膜的待極化鈮酸鋰薄膜樣品，包括：

根據(jù)預(yù)設(shè)刻蝕形狀以及所述鈮酸鋰層的表面正疇區(qū)域的形狀，確定光刻膠的光刻形狀；

在所述鈮酸鋰層的表面正疇區(qū)域按照所述光刻形狀制備光刻膠，得到具備所述光刻膠的第一中間樣品；

在所述第一中間樣品的表面區(qū)域制備金屬鍍膜，得到具備所述光刻膠和所述金屬鍍膜的第二中間樣品；所述第一中間樣品的表面區(qū)域包括所述光刻膠的表面區(qū)域，以及所述鈮酸鋰層的表面正疇區(qū)域中未覆蓋所述光刻膠的區(qū)域；

去除所述第二中間樣品表面的所述光刻膠以及覆蓋在所述光刻膠的表面區(qū)域的金屬鍍膜，得到具備金屬掩膜的待極化鈮酸鋰薄膜樣品。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述將所述待極化鈮酸鋰薄膜樣品接入預(yù)設(shè)的極化電路，并設(shè)置所述極化電路的輸入電壓，使所述金屬掩膜覆蓋區(qū)域的鈮酸鋰進(jìn)行疇翻轉(zhuǎn)，得到中間樣品，包括：

將所述金屬掩膜與預(yù)設(shè)的極化電路的正極連接，以及將所述金屬層與所述極化電路的負(fù)極連接；

設(shè)置所述極化電路的輸入電壓，使所述金屬掩膜覆蓋區(qū)域的鈮酸鋰進(jìn)行疇翻轉(zhuǎn)，得到中間樣品。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述將所述待極化鈮酸鋰薄膜樣品接入預(yù)設(shè)的極化電路，并設(shè)置所述極化電路的輸入電壓，使所述金屬掩膜覆蓋區(qū)域的鈮酸鋰進(jìn)行疇翻轉(zhuǎn)，得到中間樣品，包括：

將所述待極化鈮酸鋰薄膜樣品設(shè)置在預(yù)設(shè)的金屬加熱板上；

按照預(yù)設(shè)加熱速率將所述待極化鈮酸鋰薄膜樣品加熱至預(yù)設(shè)溫度；

將所述金屬掩膜與預(yù)設(shè)的極化電路的正極連接，以及將所述金屬加熱板與所述極化電路的負(fù)極連接；

設(shè)置所述極化電路的輸入電壓，使所述金屬掩膜覆蓋區(qū)域的鈮酸鋰進(jìn)行疇翻轉(zhuǎn)，得到中間樣品。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述去除所述中間樣品中的所述金屬掩膜，得到待刻蝕的目標(biāo)樣品，包括：

利用預(yù)設(shè)的金屬去除液去除所述中間樣品中的所述金屬掩膜，得到待刻蝕的目標(biāo)樣品。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述利用預(yù)設(shè)刻蝕溶液對所述目標(biāo)樣品中鈮酸鋰層的表面區(qū)域進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)長的刻蝕，得到濕法刻蝕后的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)，包括：

利用預(yù)設(shè)刻蝕溶液對所述目標(biāo)樣品中鈮酸鋰層的表面區(qū)域進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)長的刻蝕，得到初始鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)；

去除所述初始鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)上殘留的刻蝕溶液，并對所述初始鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)進(jìn)行拋光和清洗，得到濕法刻蝕后的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)。

7.一種鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)，其特征在于，所述鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)采用權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的濕法刻蝕方法制備而成。