[發明專利]具有可再生性能的靜電卡盤及其成型方法在審
| 申請號: | 202011106884.0 | 申請日: | 2020-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN112018021A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 楊冬野;袁蕾 | 申請(專利權)人: | 蘇州芯慧聯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 再生 性能 靜電 卡盤 及其 成型 方法 | ||
1.具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:包括底座、設于底座頂部的絕緣層、設于絕緣層頂部的介電層、夾持內嵌設于絕緣層和介電層之間的電極層、以及設于介電層表面的由類金剛石薄膜制成的若干凸臺;若干凸臺沿介電層圓心呈數個不同直徑環繞的圓形間斷分布,介電層表面設有若干沿其不同直徑方向分布的冷卻槽,若干凸臺的表面架置設有晶圓基板;
所述介電層表面位于最外圈凸臺位置的外周設有環繞閉合的外環凸部;
所述介電層表面設有緩沖層,緩沖層表面形成類金剛石薄膜。
2.根據權利要求1所述的具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:所述冷卻槽呈十字交叉分布于介電層表面,冷卻槽內充入冷卻介質。
3.根據權利要求2所述的具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:所述冷卻槽的兩端置于外環凸部內部。
4.根據權利要求3所述的具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:所述凸臺和外環凸部硬度達到800HV以上,其與晶圓基板之間摩擦系數在0.05-0.2。
5.根據權利要求3所述的具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:所述外環凸部和凸臺的高度范圍為4-6μm,外環凸部的寬度為0.6-0.8mm,凸臺與晶圓基板接觸直徑為0.6-0.8mm。
6.根據權利要求1所述的具有可再生性能的靜電卡盤,其特征在于:同一圓周上所述凸臺間距或同一徑向相鄰圓周上凸臺間距在0.5-1.5mm。
7.具有可再生性能的靜電卡盤成型方法,其特征在于,包括以下步驟:
分為兩種成型再生方式,I):
1)靜電卡盤表面介電層進行表面清潔處理;
2)打磨,控制靜電卡盤的表面粗糙度在0.3-0.5μm;
3)噴涂,包括以下兩種噴涂方式,i)首先在介電層表面噴涂,形成1-2μm的緩沖層,接下來將類金剛石粉噴涂在緩沖層表面形成類金剛石薄膜,類金剛石薄膜的厚度在4-6μm之間;或ii)直接將類金剛石粉噴涂在介電層表面形成類金剛石薄膜;
4)標記,標記成型厚度為0.1-1mm的干膜抗蝕層,在類金剛石薄膜上表面形成印花;
5)噴砂,去除印花位置以外的類金剛石薄膜,成型凸臺和外環凸部;
6)清洗,完全清除殘留標記膜;
II):
1)靜電卡盤表面介電層進行表面清潔處理;
2)打磨,控制靜電卡盤的表面粗糙度在0.3-0.5μm;
3)標記,標記成型厚度為0.1-1mm的干膜抗蝕層,在介電層上表面形成印花;
4)噴涂,包括以下兩種噴涂方式,i)首先在介電層和標記膜表面噴涂,形成1-2μm的緩沖層,接下來將類金剛石粉噴涂在緩沖層表面形成類金剛石薄膜,類金剛石薄膜的厚度在4-6μm之間;或ii)直接將類金剛石粉噴涂在介電層和標記膜表面形成類金剛石薄膜;
5)清洗,清除殘留標記膜,凸臺和外環凸部外露顯出。
8.根據權利要求7所述的具有可再生性能的靜電卡盤成型方法,其特征在于:所述表面清潔處理采用5%濃度的過氧化氫溶液或氫氧化銨溶液。
9.根據權利要求7所述的具有可再生性能的靜電卡盤成型方法,其特征在于:所述標記的步驟包括涂膠、曝光、顯影、烘干、刻蝕形成印花。
10.根據權利要求7所述的具有可再生性能的靜電卡盤成型方法,其特征在于:所述噴砂的步驟采用重力落料式多次噴砂,空氣壓力為0.5MPa,采用碳化硅或金剛砂,砂子目數為800-1200目。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





